미래형 반도체, 어떻게 준비할까[삼성 반도체 50주년③]

[서울=뉴시스]이인준 기자 = "동트기 전이 가장 어둡다."

삼성전자가 역대 최악의 반도체 침체 속에서도 역대급 투자를 이어가며 미래형 반도체 시장의 주도권 확보에 주력하고 있다.

5일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 반도체 사업 투자금액이 47조9000억원에 달한다. 이는 전년 48조4000억원 대비 감소한 것이지만, 범용 메모리 시장을 중심으로 내년에도 시장 침체가 예상되는 상황에서 투자를 멈추지 않는 것이어서 주목된다.

삼성전자는 신규 라인 투자는 자제하되 HBM(고대역폭메모리), DDR5 등 고부가가치 제품 분야에 투자를 집중한다는 방침이다.

삼성전자는 HBM 등 선단 제품 시장의 주도권을 경쟁사에 내줬다는 냉혹한 평가 속에서 이제 반전을 모색하고 있다.

업계에서는 삼성전자의 가장 시급한 과제로 엔비디아향 HBM3E 양산을 꼽는다.

메모리 시장은 갈수록 HBM과 그 외 반도체로 양분되고 있다. 이에 따라 내년에도 반도체 사업은 HBM에 실적이 달렸다고 해도 과언이 아니다. 업계에선 HBM 매출이 D램 매출의 절반 이상을 차지할 것으로 본다.

현재 삼성전자는 HBM 최대 수요처인 엔비디아의 공급망에 편입되지 못한 유일한 D램 업체라는 오명을 벗어나기 위해 사활을 걸고 있다.

이어 내년부터 본격 경쟁이 예상되는 차세대 HBM4 역시 조기 양산 체제를 갖출 지 주목된다.

여러 개의 D램을 수직으로 쌓아 만드는 HBM은 세대를 거듭할수록 제조 난도가 높아지고 있어 신기술 개발이 지상 과제다. HBM4부터는 메모리 업체 홀로 제품을 만드는 것이 아니라, 제품 개발부터 파운드리(위탁생산) 설계 기술과 접목이 필요해지는 등 새로운 경쟁 체제로 전환해야 한다.

특히 HBM 등장 이후 메모리 시장은 점차 고객 맞춤형 상품으로 진화하고 있다. 천문학적 자금이 투입되는 데이터센터 등 AI 인프라 산업은 갈수록 투자 효율성이 핵심 가치로 급부상하고 있다.

이에 HBM 외에도 저전력 D램(LPDDR), 저전력압축부착메모리모듈(LPCAMM2), 저지연 D램(LLW) 등 다양한 차세대 반도체 제품군이 고객 선택을 기다리고 있다.

무엇보다 가까운 미래에 메모리 반도체 시장의 패러다임이 완전히 바뀔 전망이다.

기존 메인 D램과 공존하면서도 메모리의 대역폭과 용량을 확장할 수 있는 CXL(컴퓨트익스프레스링크) 기술, 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 융합 기술인 'PIM(프로세싱인메모리)', 데이터센터 구축 대신 초고용량 저장장치를 구독 형태로 제공하는 '페타바이트솔리드스테이트드라이브(PBSSD) 서비스' 등이 급부상할 수 있다.

전영현 삼성전자 DS부문장(부회장)은 지난달 18일 경기 기흥캠퍼스의 차세대 반도체 R&D단지에서 열린 장비 반입식을 통해 "삼성전자 반도체 50년 역사가 시작된 기흥에서 재도약 발판을 다져 새로운 100년 미래를 만들겠다"고 밝혔다.

삼성전자는 최근 미래형 반도체 경쟁력 강화를 위한 대대적인 조직 개편도 단행했다.

글로벌 기업 중 유일하게 메모리, 파운드리, 시스템 LSI 등을 모두 보유한 종합반도체 기업으로서 역량과 차세대 D램 공정, 최첨단 패키지 기술로 향후 새로운 시장 변화에 맞춰 최적의 솔루션을 제공한다는 전략이다.


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