[서울=뉴시스]이지용 기자 = 글로벌 파운드리(위탁생산) 시장에서 2위 삼성전자와 3위 중국 SMIC와의 격차가 갈수록 좁혀지고 있다는 평이다.

중국 반도체 기업들의 기술 자립 속도가 빨라지는 상황에서 삼성전자 점유율은 지속적으로 감소해, 2위 자리가 위태롭다는 우려가 나온다.

15일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 3분기 삼성전자의 파운드리 시장 점유율은 6.8%로 전 분기(7.3%)보다 0.5%포인트(p) 하락했다.

삼성전자와 1위 TSMC의 격차는 62.9%p에서 64.2%p로 벌어진 동시에, 3위 중국의 SMIC와 격차는 2.2%p에서 1.7%p로 줄었다.

삼성전자의 파운드리 점유율은 몇 분기째 감소세다. 지난해 4분기까지만 해도 8.1%였지만, 올 들어 1분기 7.7%, 2분기 7.3%, 3분기 6.8% 등 계속 하락하고 있다.

그나마 삼성전자 파운드리 매출은 지난 2분기 31억5900만 달러에서 3분기 31억8400만 달러로 0.8%p 증가했는데, 이 매출 상승폭은 TSMC(9.3%)와 SMIC(7.8%)에 비해 낮은 수치다.

이에 기술력이 필요한 첨단 공정은 TSMC에, 저렴한 성숙 공정은 SMIC에 밀리며 삼성전자의 입지가 좁아지고 있다는 평가다. SMIC 성장폭에 따라 2위 자리도 걱정해야 한다는 우려까지 나온다.

SMIC는 미국의 수출 규제에도 불구하고 중국 정부 보조금 지원에 힘입어 첨단 공정으로 사업을 확장하고 있다.

SMIC는 첨단 공정에 필수인 극자외선(EUV) 장비 없이 구형인 심자외선(DUV) 장비만으로 첨단 7나노 공정 기반의 'N+3' 공정을 구현했다. SMIC는 이 공정을 화웨이의 최신 플래그십 스마트폰 '메이트 80'에 들어가는 프로세서 제조에 활용했다.

업계에서는 SMIC가 TSMC와 삼성전자의 5나노 이하 초미세공정 기술 만큼은 아니지만 구형 장비만으로 뚜렷한 기술 개선에 성공했다고 분석한다.

SMIC는 7나노 칩 생산능력을 내년에 2배 이상 늘릴 계획이다.

또 현재 5나노 공정 개발하고 있으며 내년에 본격 가동할 예정이다. 당초 SMIC가 28나노 성숙 공정을 주로 가동했던 것을 감안하면, 최근 빠른 속도로 기술력을 끌어올리는 모습이다.

파운드리 공정은 나노 단위가 줄어들수록 회로 선폭이 좁아져, 더 작고 성능이 좋은 반도체를 만들 수 있다. 통상 7나노 이하를 첨단 공정으로 평가한다.

다만, 삼성전자가 빅테크향 수주를 확대하면서 내년에는 매출을 본격 확대할 수 있다는 전망도 들린다.

삼성전자는 지난 7월 테슬라와 165억 달러 규모의 차세대 AI 칩 생산 계약을 맺었다. 또 애플의 이미지센서, 중국 마이크로BT의 주문형 반도체 등도 수주했다.

이재용 회장이 테슬라와의 협력 강화를 위해 최근 미국 테일러 공장에서 일론 머스크 최고경영자(CEO)를 만났다는 이야기도 들린다.

업계 관계자는 "SMIC는 내년에 기술 투자를 더 확대할 것"이라며 "삼성전자도 수율 안정과 빅테크 수주 확보를 동시에 이뤄내며 경쟁력을 키워야 한다"고 전했다.


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