[현장]"미래 칩 보고 가세요"…삼전·닉스, 반도체대전서 AI 메모리 기술 대격돌

[서울=뉴시스]이지용 염준호 수습 기자 = "메모리 간 간격을 줄여 에너지 효율을 극대화한 'zHBM'을 직접 확인해 보세요."(삼성전자)

"저희가 만든 'HBF'는 기존 HBM 대비 무려 10배의 용량을 제공할 수 있습니다."(SK하이닉스)

14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 국내 최대 반도체 전시회인 '반도체대전(SEDEX 2026)' 현장. 삼성전자와 SK하이닉스가 마련한 대형 전시 부스에서는 차세대 메모리 기술에 대한 설명이 이어졌다.

양사는 고대역폭메모리(HBM)를 비롯해 D램, 낸드플래시, 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 최신 메모리 제품 및 기술들을 대거 선보였다.

삼성전자 부스에서 가장 관람객들의 눈길을 끈 것은 7세대 HBM인 'HBM4E'였다.

손톱보다 작은 칩을 보기 위해 관람객들은 고개를 숙이며 연신 사진을 찍었다.

삼성전자는 연산 장치와 메모리 사이의 물리적 거리를 줄이는 3D 메모리 아키텍처 기반 'zHBM' 목업과 엣지 AI에 최적화한 3D 낸드 솔루션인 z낸드-O 목업도 선보였다.

또한 파운드리(반도체 위탁생산)존에서는 4나노 공정을 적용한 HBM4E 베이스다이와 확장형 초고집적 패키징 기술도 공개했다.

SK하이닉스는 이번 전시에서 엔비디아와의 끈끈한 관계를 과시했다.

SK하이닉스 부스 한 가운데에는 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)의 친필 사인이 새겨진 HBM 웨이퍼가 전시됐다.

관람객들은 "진짜 젠슨 황 사인이야?"라는 감탄사를 내며 카메라를 찍었다.

한 쪽에는 엔비디아의 '베라 루빈' 슈퍼칩과 이에 탑재되는 SK하이닉스의 소캠2 및 HBM4가 전시되었는데, 이 제품에도 제프 피셔 엔비디아 수석 부사장의 사인이 담겼다.

그 밑에는 SK하이닉스와 엔비디아의 회사 로고가 나란히 새겨져 있어 양사의 긴밀한 협력 관계를 강조했다.

특히 SK하이닉스는 HBM을 넘어 차세대 메모리 기술로 꼽히는 '고대역폭플래시(HBF)' 기술력을 선보였다.

HBF는 낸드플래시에 HBM의 적층 및 고속 데이터 전송 기술을 접목해 대용량과 고대역폭을 동시에 구현하는 차세대 메모리다.

앞서 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장도 이날 기조연설에서 HBF를 메모리 병목을 해결할 기술로 거론했다.

안 사장은 "이 솔루션을 활용하면 용량은 기존보다 10배 또는 그 이상으로 증가할 것으로 본다"며 "SK하이닉스는 HBM을 제조하며 쌓은 노하우로 HBF를 잘 개발하고 있다"고 전했다.

이날 오후 송재혁 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 최고기술책임자(CTO) 사장을 비롯해 안현 SK하이닉스 사장, 이준석 개혁신당 의원, 국내 소부장 업체 대표 등은 SEDEX 2026 전시장을 돌며 최신 반도체 기술을 살폈다.

이들은 SK하이닉스 부스에서 고대역폭메모리(HBM), 고대역폭플래시(HBF), D램 등의 기술력에 대해 설명을 들었다.

안 사장은 이 의원에게 HBF 모형 앞에서 메모리 적층 원리에 대해 설명하기도 했다.

삼성전자 부스를 방문해서는 그래픽처리장치(GPU), HBM, SSD 등으로 AI를 구현하는 과정을 살폈다.

송 사장은 안 사장에 "메모리 효율화를 너무 많이 하시는 것 같다"며 농담을 주고 받기도 했다.

부스를 모두 둘러본 뒤 이들은 각각 삼성전자와 SK하이닉스 부스에서 단체 기념 사진을 촬영했다.

특히 송 사장은 중국 창신메모리(CXMT)가 도입 예정인 4F²(포에프스퀘어) 기술을 삼성전자도 진행 중인지 묻는 취재진의 질문에 "현재 열심히 준비 중인 상황"이라고 말했다.

4F²는 D램 셀의 면적을 나타내는 지표다. 현재 널리 사용되는 6F² 구조보다 셀 면적을 줄여 동일한 공간에 더 많은 데이터를 저장할 수 있도록 하는 기술이다.

업계에서 CXMT가 4F² 기술을 앞세워 국내 기업들과 기술 격차를 줄일 것이라는 우려가 나오는 만큼, 삼성전자가 4F² 기반의 메모리를 언제 내놓을 지 관심이 쏠리고 있다.

한편, 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 300개사는 오는 16일까지 SEDEX 2026에서 888개의 부스를 마련해 반도체 소재·부품·장치 기술을 대거 선보인다.

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