[현장]SK하이닉스 안현 사장 "또 다른 메모리 병목 발생…3D D램·HBF로 돌파해야"

[서울=뉴시스]이지용 염준호 수습 기자 = "우리는 또 다른 메모리 병목 시대를 맞이하고 있는 만큼, 고대역폭메모리(HBM)를 넘어서는 차세대 메모리 기술에 집중해야 합니다."

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 인공지능(AI) 추론 시장의 급성장에 따라 새로운 병목이 발생하고 있다고 진단하고, 이를 돌파하기 위한 해법을 제시했다.

안 사장은 14일 서울 강남구 코엑스에서 열린 '반도체대전(SEDEX) 2026'에서 'AI 시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다'라는 주제로 기조연설에 나섰다.

안 사장은 빅테크들의 AI 투자가 확대되는 가운데, AI 인프라의 성능 규모가 2030년에는 올해 대비 약 19배까지 커질 것으로 전망했다.

그는 "AI 연산량 뿐만 아니라 모델 가중치와 중간 데이터의 저장·이동 수요도 함께 증가하고 있다"며 "HBM, D램, SSD 등 메모리 계층에 데이터를 분산해 저장해야 하는데, 이 과정에서 새로운 성능 및 전력 소모의 병목이 생기고 있다"고 설명했다.

AI 성장 속 서로 다른 메모리들의 성능 격차, 데이터 이동 자체가 새로운 메모리 병목이 된다는 의미다.

이에 안 사장은 AI 인프라의 지속 성장을 위해서는 개별 메모리 성능 향상을 넘어 전체 메모리 계층을 최적화 해야 한다고 강조했다.

안 사장은 "AI 시대에 HBM이 핵심 계층으로 떠올랐지만, 앞으로는 S램-HBM, HBM-D램, D램-SSD 등 각 메모리 사이에 새로운 메모리 계층이 추가돼 각기 다른 성능과 용량 요구에 대응하는 구조로 발전할 것"이라고 내다봤다.

특히 안사장은 "메모리 병목을 해결하기 위한 핵심 차세대 기술은 '3D 적층 D램(3D Stacked DRAM)'이 될 것이다"고 전했다.

3D 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU)·신경망처리장치(NPU) 등 로직 반도체 위에 D램을 적층해 연산기와 데이터 간 물리적 거리를 줄이는 구조다.

데이터를 연산기에 더욱 가까운 곳에서 빠르게 공급해 성능을 높이고 에너지 소모를 줄인다.

안 사장은 "3D 적층 D램과 어드밴스드 패키지가 결합되면 새로운 AI 솔루션으로 성장할 것"이라며 "입출력(I/O) 성능은 기존 HBM보다 수십배 향상될 것으로 기대한다"고 강조했다.

I/O는 반도체가 외부와 데이터를 주고 받는 것으로 성능이 좋을수록 더 많은 데이터를 처리할 수 있다.

안 사장은 이와 함께 '고대역폭플래시(HBF)'도 메모리 병목을 해결할 기술로 거론했다.

HBF는 SK하이닉스가 HBM을 통해 확보한 실리콘관통전극(TSV) 적층 및 고속 I/O 기술을 낸드플래시에 적용한 차세대 메모리다.

HBM과 D램 사이에 새로운 계층으로 배치해 고대역폭과 대용량을 동시에 구현하는 것을 목표로 한다.

안 사장은 "이 솔루션을 활용하면 용량은 기존보다 10배 또는 그 이상으로 증가할 것으로 본다"며 "SK하이닉스는 HBM을 제조하며 쌓은 노하우로 HBF를 잘 개발하고 있다"고 전했다.

안 사장은 "샌디스크를 비롯해 구글 등 클라우드서비스제공자(CSP)들과 HBF 표준화 작업 협력 중"이라며 "내년 1월이면 HBF 정식 표준 규격(v1.0)이 나올 것으로 본다"고 말했다.

그러면서 "이 같은 협력 생태계는 AI 시대에 반드시 필요하다"고 강조했다.

업계에서는 엔비디아나 구글 등 AI 반도체·서버 기업들이 실제 제품에 광범위하게 적용할 수 있도록 HBF 표준화가 필요하다고 보고 있다.

한편, 삼성전자와 SK하이닉스를 비롯한 300개사는 오는 16일까지 SEDEX 2026 전시장에 888개의 부스를 마련해 반도체 소재·부품·장치 기술을 대거 선보인다.


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