삼성전자, '업계 최고 성능' HBM4 양산·출하 세계 최초 개시 "초격차 가속"

[서울=뉴시스]남주현 기자 = 삼성전자가 업계 최고 성능을 갖춘 6세대 고대역폭메모리인 HBM4의 양산 및 출하를 세계 최초로 시작하며 시장 선점에 나섰다.

삼성전자는 HBM4 개발 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 목표를 설정하고 1c D램과 파운드리 4나노 공정을 선제적으로 도입했다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 말부터 고객사에 HBM4 샘플을 전달해 인증 절차를 밟아왔으며 해당 검증을 통과해 이날부터 공식 출하를 시작했다.

이는 SK하이닉스 등 경쟁사 대비 한발 앞선 행보로 평가받는다.

이번 제품은 기존 공정을 재활용하던 관례를 깨고 최선단 공정을 적용해 재설계 없이도 양산 초기부터 안정적인 수율과 성능을 확보했다.

특히 전력과 신호를 제어하는 베이스 다이에 4나노 공정을 도입해 성능과 전력 효율을 극대화한 것이 특징이다.

HBM4의 동작 속도는 11.7Gbps로 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회한다. 전작인 HBM3E와 비교해 속도는 약 1.22배 향상됐고, 최대 13Gbps까지 구현이 가능하다.

단일 스택 기준 총 메모리 대역폭은 전작 대비 약 2.7배 높아진 최대 3.3TB/s를 기록해 고객사 요구치인 3.0TB/s를 넘어섰다.

용량은 12단 적층 기술을 통해 24GB에서 36GB를 제공하며 향후 16단 기술을 적용해 최대 48GB까지 확장할 계획이다.

코어 다이에는 저전력 설계 기술을 적용해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했다. 방열 특성 또한 약 30% 향상해 데이터센터 환경에서의 신뢰성을 강화했다.

삼성전자는 로직과 메모리, 파운드리, 패키징을 아우르는 원스톱 솔루션 역량을 바탕으로 품질과 수율을 동시에 확보할 방침이다.

자체 선단 패키징 역량으로 공급망 리스크를 줄이고 생산 리드타임을 단축한다는 전략이다.

삼성전자는 올해 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 전망하고 생산 능력을 확대 중이며 2028년 가동 예정인 평택 5라인을 핵심 거점으로 활용할 계획이다.

차기 로드맵으로는 2026년 하반기 HBM4E 샘플 출하와 2027년 커스텀 HBM 샘플링이 예정됐다.

황상준 삼성전자 부사장은 "이번 HBM4는 1c D램과 4나노 파운드리 등 최선단 공정을 과감히 적용한 제품"이라며 "공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보했다"고 말했다.


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