삼성전자 vs SK하이닉스, "HBM 5세대 격전 예고"

[서울=뉴시스]이현주 기자 = 삼성전자가 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E(5세대 HBM·고대역폭메모리) 12H(12단 적층) D램 개발에 성공했다고 발표했다. 삼성전자는 앞으로 HBM 시장 주도권 잡기에 적극 나선다.

현재 'HBM 선두'인 SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품을 지난해 8월 개발해 올 상반기 중 양산 계획을 밝힌 바 있다. 이어 3위인 마이크론도 HBM3E 대량 생산 계획을 공개해 향후 업체간 경쟁이 심화될 전망이다.

27일 삼성전자는 24GB D램 칩을 TSV(실리콘 관통 전극) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대 용량인 36GB HBM3E 12H를 구현했다고 밝혔다.

HBM3E 12H는 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선한 제품이다.

삼성전자는 인공지능(AI) 서비스 고도화로 데이터 처리량이 급증하는 상황 속에 AI 플랫폼을 활용하는 다양한 기업들에게 이 HBM이 최고의 솔루션이 될 것이라고 밝혔다.

특히 성능과 용량이 증가한 이번 제품을 사용할 경우 GPU 사용량이 줄어 기업들이 총 소유 비용(TCO)을 절감할 수 있는 등 리소스 관리를 유연하게 할 수 있다.

단적으로 서버 시스템에 HBM3E 12H를 적용하면 HBM3 8H를 탑재할 때보다 평균 34% AI 학습 훈련 속도가 향상된다.  AI 추론의 경우에도 최대 11.5배 더 많은 사용자 서비스가 가능하다.

삼성전자는 HBM3E 12H 샘플을 엔비디아를 포함한 고객사에게 제공하기 시작했고, 올 상반기 양산할 계획이다.

지난해 글로벌 HBM 시장의 50% 이상을 점유하며 1위를 차지한 SK하이닉스도 올 상반기 HBM3E 양산에 적극 뛰어든다.

곽노정 SK하이닉스 사장은 전날 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 '민·관 반도체 전략 간담회'에 참석, HBME3 양산 시기에 대해 "올 상반기 중"이라고 언급하며 기존 계획에 변함이 없음을 확인해줬다.

SK하이닉스는 지난해 4월 업계 최초로 12단 24GB를 구현한 HBM3(4세대) 개발에 성공했다. 1월부터 초기 양산 중인 5세대 제품 HBM3E는 가까운 시일 내 고객사 인증을 마치고 본격 양산에 돌입한다.

아울러 올해 6세대인 HBM4를 개발해 2026년 양산 목표로 HBM 시장 수성에 나설 방침이다.

글로벌 D램 시장 3위 업체인 미국 마이크론도 삼성전자나 SK하이닉스보다 한 발 빠른 HBM3E 양산을 선언하며 'HBM 시장' 참전 소식을 알렸다.

마이크론은 최근 보도자료를 통해 "HBM3E의 대량 생산을 시작했다"며 "이번 24GB 8단 HBM3E는 올해 2분기 출하를 시작하는 엔비디아 'H200'에 탑재될 예정"이라고 밝혔다.

그러면서 삼성전자, SK하이닉스 등 경쟁사 제품에 비해 "최대 30% 낮은 전력 소비"를 구현했다며 '업계 최고 HBM3E'임을 강조했다.

특히 파운드리(반도체 위탁생산) 글로벌 1위인 대만 TSMC와의 협력 관계, 엔비디아가 주최하는 글로벌 AI회의(GTC) 후원사 등을 내세우며 치열한 시장 점유율 경쟁을 예고했다.


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