"양쯔, 내년 낸드 1위 목표 전면에"…'IPO 러시' 中메모리들 기세 몰이

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 중국 메모리 기업들이 삼성전자와 SK하이닉스를 위협할 정도로 빠르게 성장하며 글로벌 반도체 시장에서 존재감을 키우고 있다.

중국 기업들은 점유율을 높이며 국내 기업들과 격차를 좁히고 있는데, 최근 잇따른 기업공개(IPO)를 통한 막대한 자금 확보가 자신감의 배경으로 꼽힌다.

27일 외신 및 업계에 따르면 중국 낸드 기업인 양쯔메모리(YMTC)는 최근 내년 말까지 삼성전자와 SK하이닉스를 뛰어넘어 글로벌 낸드 시장 1위를 달성하겠다는 목표를 제시했다.

YMTC는 올해 2분기 전 세계 낸드 출하량 점유율 14%로 키옥시아를 제치고 처음으로 글로벌 톱3에 올랐다.

YMTC의 출하량은 전년 동기 대비 22%, 전 분기 대비 5% 증가하는 등 가파른 성장세를 보이고 있다.

2위 SK하이닉스(22%)와의 점유율 격차는 8%포인트로 언제든 순위가 변동될 수 있는 상태다.

낸드 시장은 한 업체가 공격적으로 출하량을 늘리고 이를 기반으로 제품 공급 가격을 대폭 낮추면 경쟁 구도가 쉽게 뒤바뀔 수 있는 구조다.

경쟁 기업들 간의 점유율 격차도 비교적 촘촘하다.

YMTC가 이처럼 '시장 1위 달성' 목표라는 자신감을 보이는 배경에는 초대형 IPO를 통한 대규모 자금 조달 계획이 자리 잡고 있다는 분석이 나온다.

YMTC 모회사 CCSH는 지난 21일 중국판 나스닥인 상하이증권거래소 커촹반에 IPO 신청서를 제출하며 상장에 속도를 내고 있다.

올해 중국에서 2번째로 큰 IPO가 될 전망이다.

조달 규모는 약 330억 위안(6조8000억원)으로, 낸드 공장 증설 등 생산능력 확대와 R&D(연구개발)에 투입할 예정이다.

YMTC는 범용 제품을 위주로 판매하고 있는데 자금 조달에 힘입어 서버용 eSSD 등 고부가 제품 개발·양산에 속도를 내면 삼성전자와 SK하이닉스에는 큰 위협이 될 수 있다.

중국 최대 D램 기업인 창신메모리(CXMT)도 지난달 IPO에 성공해 666억1000만 위안(13조7000억원)을 조달했다. 첨단 D램 생산라인 확충을 비롯해 차세대 고대역폭메모리(HBM) 개발에 집중 투자한다는 계획이다.

이 회사의 글로벌 D램 시장 점유율은 올 1분기 기준 8%로 마이크론에 이어 4위인데, 전년 동기(3%)와 비교하면 5%포인트 올랐다.

CXMT는 4세대 'HBM3'을 올해 연말까지 양산한다는 목표를 세웠다. 이미 시제품을 출시했으며 곧 양산 돌입이 가능할 것으로 알려졌다.

또 빅테크들의 AI 데이터센터에 주로 활용되는 5세대 'HBM3E'를 내년에 양산할 것으로 보인다.

당초 메모리 3사와 CXMT의 HBM 기술 격차는 4년 안팎이었으나 최근 3년 이내로 좁혀졌다는 분석이 나오기도 했다.

중국 기업들이 첨단 메모리 분야까지 넘보는 등 IPO를 앞세워 선두 기업들을 빠르게 추격하는 전략을 펼치면서, 업계에서는 삼성전자와 SK하이닉스도 격차를 유지하기 위해 시설 및 R&D 투자를 늦추기 어려워졌다는 평가가 나온다.

삼성전자와 SK하이닉스는 용인 반도체 클러스터에 각각 360조원, 600조원을 투입한다. 양사는 또 최근 정부가 추진하고 있는 호남 반도체 클러스터에도 각각 400조원씩을 투자한다.

삼성전자는 올 상반기 시설투자와 R&D에 각각 28조원, 27조3627억원을 집행해 역대 최대 규모의 자금을 투입했다.

업계 관계자는 "자국 내 수요 확대에 이어 IPO까지 더해지면 중국 기업들의 추격은 더욱 거세질 수 있다"며 "국내 기업들은 계획한 투자가 적기 집행되도록 전략을 짜야 할 것"이라고 전했다.


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