HBM이 만든 범용 D램 빈자리 노린다…대만 난야·중국 CXMT, 대규모 증설

[서울=뉴시스]박나리 기자 = 인공지능(AI) 인프라 확대로 고대역폭메모리(HBM) 중심의 자원 집중이 가속화되는 가운데, 범용 D램 공급 부족이 심화하고 있다.

이에 대만과 중국 등 주요 메모리 업체들이 대규모 생산능력 확충에 돌입하며 글로벌 공급망 재편이 본격화되는 양상이다.

7일 업계에 따르면 대만 D램 제조업체 난야테크놀로지(난야)는 올해부터 2029년까지 대만 5A 공장에 3466억 대만달러(약 107억달러·15조2000억원)를 투자한다.

5A 공장에는 10나노급 1b~1e 공정과 극자외선(EUV) 노광장비가 도입된다.

내년 하반기 웨이퍼 투입을 시작해 월 생산능력을 2028년 3만장, 2029년 3만5900장까지 확대할 예정이다. 향후 시장 수요에 따라 최대 월 4만5000장까지 늘릴 계획이다.

난야가 대규모 장기 투자에 나선 배경에는 AI가 촉발한 D램 시장의 성장이 있다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 글로벌 D램 매출은 970억달러(약 138조원)로 전분기보다 81% 증가했다.

일반 D램 계약가격이 같은 기간 93~98% 급등하면서 시장 규모도 사상 최대 수준으로 커졌다.

AI 시장이 대규모언어모델(LLM) 학습에서 추론으로 이동하면서 메모리 수요도 HBM에서 일반 서버용 D램으로 확산하고 있다.

클라우드서비스사업자(CSP)가 AI 전용 서버뿐 아니라 일반 서버 구축도 늘리면서 고용량 DDR5와 서버용 메모리 모듈인 RDIMM 수요가 함께 증가하는 추세다.

반면 공급 증가는 수요를 따라가지 못하고 있다.

여러 개의 D램을 수직으로 쌓는 HBM은 일반 DDR5보다 더 많은 웨이퍼를 사용한다.

전체 D램 웨이퍼 투입량 중 HBM 비중은 올해 22%에서 내년 약 30%까지 높아져 일반 D램 공급을 제약할 전망이다.

트렌드포스는 올 3분기 서버용 D램 계약가격이 전분기보다 13~18% 오를 것으로 내다봤다.

2027년 서버용 RDIMM 공급 증가율도 15~20%에 그쳐 서버 중앙처리장치(CPU) 출하 증가 속도를 밑돌 것으로 예상했다.

삼성전자와 SK하이닉스도 HBM과 고용량 서버 D램 생산을 함께 확대하고 있다.

삼성전자는 평택 4공장에 신규 D램 라인을 구축하고 HBM4와 고용량 DDR5 등의 공급을 늘리고 있다.

SK하이닉스는 청주 M15X 양산 일정을 앞당기고 2027년 초 용인 반도체 클러스터 1기 공장의 클린룸을 열 계획이다.

올해 투자 규모는 40조원 후반대로 예상된다. 다만 공장 건설부터 장비 반입과 수율 안정화까지 시간이 걸려 공급 확대 효과는 2027~2028년 이후 본격화할 가능성이 크다.

중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)도 베이징에 두 번째 12인치 D램 공장 건설을 검토하고 있다.

추진 중인 신규 공장이 모두 가동되면 생산능력은 현재 월 30만장에서 60만장 이상으로 늘어날 전망이다.

시장조사기관 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 D램 시장 점유율은 삼성전자 39%, SK하이닉스 26%, 마이크론 25%로 3사가 90%를 차지했다.

CXMT는 매출이 전년 동기보다 716% 증가하며 점유율 7%를 기록했고, 난야의 매출도 690% 늘었다.

업계 관계자는 "AI 인프라 투자로 HBM뿐 아니라 고용량 서버 D램과 범용 제품까지 수요가 확산하고 있다"며 "투자를 늘려도 신규 생산능력이 실제 공급으로 이어지기까지 시간이 필요한 만큼 당분간 타이트한 수급이 이어질 가능성이 크다"고 말했다.


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