삼성·SK, '맞춤형 HBM' 경쟁도 이미 본격화[HBM4 승부수③]

[서울=뉴시스]이현주 기자 = 지난해 고대역폭메모리(HBM) 호황으로 역대급 실적을 이뤄낸 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 HBM 선점을 위한 경쟁력 확보에 박차를 가하고 있다.

특히 인공지능(AI) 시장 확대로 고객사 요구에 맞춰 생산하는 맞춤형(커스텀) HBM 중요성이 커지는 만큼 기술 확보 경쟁이 격화되는 분위기다. 

31일 업계에 따르면 지난 29일 나란히 2025년 실적 발표회를 연 삼성전자와 SK하이닉스는 앞다퉈 HBM4에 대한 경쟁력을 거듭 강조했다.

기존 HBM은 메모리 업체가 만든 뒤 AI 반도체에 부착해 사용하는 범용 제품이다.

6세대 HBM인 HBM4는 아랫부분의 '베이스 다이(base die)'를 메모리 업체와 파운드리(반도체 위탁생산)가 협력해 다양한 기능을 수행하도록 설계할 수 있다.

이후 이어지는 HBM4E(7세대) 제품은 아예 고객사가 베이스 다이 설계에 관여, 자사의 IP(지식재산권)을 적용하는 등 제품 차별화를 요구할 수 있다.

삼성전자는 실적 발표 콘퍼런스콜(전화회의)을 통해 "HBM4E는 올해 중반 표준 제품으로 먼저 고객사 샘플링 예정이고, HBM4E 코어 다이 기반 맞춤형 HBM 제품도 하반기 고객 일정에 맞춰 과제별로 웨이퍼 초도 투입을 확정할 계획"이라고 밝혔다.

HBM 패키징 기술에 대한 자신감도 드러냈다. 삼성전자는 "HBM3E·HBM4의 16단 적층 제품은 현재 고객 수요가 매우 제한적이고, 올해 중 계획하고 있는 동일 용량의 HBM4E 12단 제품 샘플링 일정 고려 시 HBM3E·HBM4 16단 제품 양산 사업화는 불필요하다고 판단한다"고 전했다.

그러면서 "단 열·압착-비전도성필름(TC-NCF) 기반 16단 패키지도 양산 가능한 수준으로 이미 기술을 확보한 상태"라며 "고객 요구사항 변화가 있더라도 이에 대한 적기 대응에는 문제가 없을 것"이라고 강조했다.

차세대 적층 기술인 '하이브리드 구리 본딩(HCB)'도 HBM4에 적용, 해당 샘플을 지난 분기 주요 고객사에 전달해 기술 협의를 시작했다는 설명이다.

삼성전자는 "HBM4E 단계에서 일부 사업화를 계획하고 있다"며 "HBM4E와 맞춤형 HBM에서도 이미 확보된 10㎚급 6세대 1c 공정 안정성으로 기술 리더십을 지속 유지하겠다"고 밝혔다.

SK하이닉스 역시 HBM4 다음으로 맞춤형 HBM을 핵심 경쟁력으로 꼽고 공급을 준비하고 있다고 알렸다.

SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 사업자"라며 "기술 우위는 물론 검증된 품질과 양산 역량을 모두 갖춤으로써 고객의 신뢰를 확보했다"고 강조했다. 

이를 바탕으로 고객과 긴밀한 협업을 통해 적기에 신제품을 출시해왔고, HBM4 역시 같은 과정을 거치며 고객과 협의한 일정에 따라 예정대로 진행 중이라는 전언이다. HBM4는 지난해 9월 양산 체제 구축 후 고객이 요청한 물량을 현재 양산 중이다.

HBM4 이후 시장은 단순한 적층 경쟁을 넘어 베이스 다이 미세 공정과 시스템 최적화를 결합한 맞춤형 HBM이 핵심 경쟁 요소로 부상할 것으로 예상했다.

SK하이닉스는 "주요 고객사들과 맞춤형 HBM 기술 논의를 활발히 진행 중이며, 파트너사와의 원팀 협력을 통해 최적의 제품 공급을 위한 준비를 차질 없이 이어가고 있다"고 밝혔다.


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