"우리가 선도"…삼성·SK, 차별화 포인트는?[HBM4 승부수②]

[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 6세대 고대역폭메모리 'HBM4'의 기술 주도권을 놓고, 한 치도 양보 없는 팽팽한 자존심 대결을 이어가고 있다.

최근 열린 지난해 4분기 실적 설명회에서 양측은 각자의 기술 경쟁력을 강조하며 엔비디아의 요구를 완벽하게 충족한다는 점을 내세웠다.

31일 업계에 따르면 HBM 시장 1위인 SK하이닉스는 '검증성'과 '안정성'을 최대 무기로 내세웠다.

SK하이닉스는 "당사는 HBM3E와 HBM4를 동시에 안정적으로 공급할 수 있는 업계 유일 기업"이라는 점을 강조하고 있다.
 
SK하이닉스는 3세대 HBM2E 이후 업계 선도 업체로서, 그동안 고객과 협업하며 품질 검증과 양산 경험을 쌓아왔다. 이런 양산 노하우를 HBM4에서도 여실히 발휘하겠다는 전략이다.

SK하이닉스는 특히 HBM4의 원재료가 되는 D램 칩을 기존 HBM3E 제품에 적용 중인 1b(10나노급 5세대) 공정 기반 기술로 개발했다.

또 HBM 아랫부분에 위치해 데이터 신호와 전력 효율을 제어하는 '베이스 다이(base die)'는 TSMC와 협력해 설계했다. TSMC의 검증된 기술을 활용해 안정성을 확보하려는 전략이다.

첨단 패키징 기술 역시 기존 4세대 HBM3와 5세대 HBM3E에 적용한 '어드밴스드 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필)' 기술을 활용했다. HBM4 역시 HBM3E 12단 제품 수준의 수율을 할 것으로 기대된다.

이런 기술은 현재 업계 최신 기술이 아님에도, SK하이닉스는 고객이 요구하는 성능을 구현하는 데 성공했다. 회사 측은 "매우 큰 기술적 성과"라고 자평했다. SK하이닉스는 '마의 벽'으로 통하는 16단 HBM4 역시 세계 최초로 공개한 바 있다.

HBM 업계 2위 삼성전자는 '선제성'과 '확장성'으로 차별화에 나서고 있다.

삼성전자의 HBM4는 경쟁사보다 한발 앞서 미세 공정 기술을 적용해 성능을 극대화했다.

삼성전자 HBM4 제품에 적용된 D램 칩은 업계 최선단 공정인 '1c(10나노급 6세대)' 기술이 사용된다. 이론상 반도체 칩은 회로가 미세해질수록 성능과 전력 효율이 높아지는 특성이 있다.

삼성전자는 "고객사로부터 차별화된 성능 경쟁력을 확보했다는 피드백을 받고 있다"고 강조했다.

특히 "고객사들의 요구 성능이 높아졌음에도 지난해 샘플 공급 이후 재설계 없이 순조롭게 고객 평가를 진행 중"이라고 전했다.

삼성전자는 16단 적층을 위해 얇고 정밀한 접합이 가능한 '하이브리드 구리 본딩(HCB)' 기술도 선제적으로 확보했다고 밝혔다. 아직 고객 수요가 제한적이지만, 고객 요구 변화에 따라 즉각 대응하겠다는 입장을 밝혔다.

IDM(종합반도체기업)으로서의 강점도 십분 살린다.

삼성전자는 베이스 다이를 자사의 4나노 파운드리 공정으로 제조한다. 삼성전자의 4나노 공정은 현재 주요 고객사들로부터 기술 경쟁력을 인정받고 있어, 이번 HBM4 경쟁의 주요 승부처 중 하나다.

삼성전자는 나아가 AI 반도체 시장까지 넘보고 있다.

삼성전자는 "로직, 메모리, 파운드리, 패키징까지 모두 갖춘 '원스톱 솔루션'이 가능한 세계 유일의 반도체 회사"라며 "이런 강점을 바탕으로 AI 반도체 시장을 선점할 계획"이라고 강조했다. 빅테크와의 협력이 단순히 메모리에 그치지 않고, AI 칩까지 나아갈 수 있다는 점을 강조한 것이다.


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