이재용, 반도체 직접 챙겼다…미래기술 점검(종합)

[서울=뉴시스]이현주 기자 = 이재용 삼성전자 회장이 22일 기흥과 화성 반도체 캠퍼스에서 차세대 반도체 기술 경쟁력을 점검하고 임직원들을 격려했다.

이재용 회장이 차세대 반도체 기술을 연구하는 기흥 사업장을 공개 방문한 건 지난 2023년 10월 이후 2년 2개월 만이다.

이 회장은 이날 오전 삼성전자 기흥캠퍼스 NRD-K를 방문해 차세대 연구개발(R&D) 시설 현황 및 ▲메모리 ▲파운드리 ▲시스템반도체 등 차세대 제품·기술 경쟁력을 살펴봤다.

NRD-K는 삼성전자가 미래 반도체 기술 선점을 위해 건설한 최첨단 복합 R&D 단지로, 공정 미세화에 따르는 기술적 한계 극복과 첨단 반도체 설계 기술 개발을 진행하고 있다.

이날 오후에는 화성캠퍼스를 방문, 디지털 트윈 및 로봇 등을 적용한 제조 자동화 시스템 구축 현황과 AI 기술 활용 현황을 점검했다. 

이 회장은 화성캠퍼스에서 전영현 디바이스솔루션(DS)부문장, 송재혁 DS부문 최고기술책임자(CTO) 등 반도체 사업 주요 경영진과 글로벌 첨단 반도체 산업의 트렌드와 미래 전략을 논의했다.

이어 HBM·D1c·V10 등 최첨단 반도체 제품 사업화에 기여한 ▲개발 ▲제조 ▲품질 직원들과 간담회를 갖고 현장 직원들의 의견을 경청했다.

이 회장은 "과감한 혁신과 투자로 본원적 기술 경쟁력을 회복하자"고 말했다.

삼성전자는 HBM 등 초기 AI 반도체 시장에서 일시적으로 주도권을 놓쳤다는 평가를 받았지만 빠른 속도로 근원적인 기술 경쟁력을 회복하고 있다.

HBM 사업의 경우 유의미한 성과를 달성하며 본격적인 실적 회복에 나서고 있다.

HBM3E는 전 고객을 대상으로 판매를 확대해 3분기 판매량이 2분기 대비 1.8배 이상으로 증가했고, HBM4의 경우 이미 개발을 완료해 주요 고객들에게 샘플을 출하했다.

 특히 내부 기술 평가에서 11.7Gbps 수준의 업계 최고 성능을 확보했으며 현재 주요 고객들의 품질과 특성 평가에서 긍정적 피드백을 받고 있는 것으로 알려졌다.

삼성전자는 급증하는 HBM4 수요에 차질 없이 대응하기 위해 D1c(10나노 6세대) 생산 능력을 적극 확대하고 있으며, 삼성전자의 내년 HBM 판매량은 2.5배 이상 증가할 것으로 전망된다.

업계에서는 삼성전자가 ▲D1c 성능 우위 ▲4㎚ 베이스 다이 기술(파운드리) ▲압도적인 생산 능력 등을 바탕으로 내년부터 메모리 1위 타이틀을 완전히 되찾을 것으로 보고 있다.

메모리, 시스템 LSI, 파운드리, 패키징 등 반도체 전 분야의 최첨단 기술을 보유한 기업은 삼성전자가 유일하다고 평가받고 있으며, 각 사업간의 시너지는 계속해서 강화될 것으로 예상된다.

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