SK하이닉스 "HBM4 개발 완료·양산 체제 구축"
삼성전자 "1c 나노 공정 양산 전환 승인 완료"
[서울=뉴시스]이현주 기자 = SK하이닉스가 세계 최초로 최신 고대역폭메모리인 HBM4의 개발을 마무리하고 양산 체제를 구축했다고 12일 발표했다.
엔비디아에 HBM을 주력 납품하며 현재 시장을 주도하고 있는 SK하이닉스가 차세대 제품에서도 선두 의지를 명확히 한 가운데 추격자 입장에 있는 삼성전자에 업계 관심이 쏠린다.
업계에 따르면 삼성전자는 지난 7월31일 올해 2분기 실적 발표회를 통해 HBM4 양산 준비 소식을 알렸다.
삼성전자는 "HBM4 1c 나노 공정의 양산 전환 승인을 완료하고 이를 기반으로 제품 개발을 완료해 주요 고객사에게 샘플을 이미 출하했다"고 전했다.
아울러 "2026년 HBM4 수요 본격화에 맞춰 적기에 공급을 늘려갈 예정이며 이를 위해 1c 나노 캐파 확대에 필요한 투자를 지속적으로 집행하고 있다"고 강조했다.
HBM은 두뇌 역할을 하는 '베이스(로직) 다이' 위에 D램을 쌓아 만드는 '코어 다이'로 구성된다. 6세대인 HBM4는 이전 세대인 HBM3E와 비교해 데이터 전송통로(I/O) 단자 수를 1024개에서 2048개로 2배 늘어나며 전력 효율도 높였다.
SK하이닉스는 이번 HBM4에 기존에 쓰던 주력 패키징 기술인 어드밴스드 '매스리플로우-몰디드 언더필(MR-MUF)' 공정과 10나노급 1b(5세대) D램 기술을 적용해 양산 과정의 리스크를 최소화했다고 밝혔다. 베이스다이 제작은 TSMC와 협력하고 있다.
반면 삼성전자는 베이스 다이를 직접 파운드리에서 생산하고, 코어 다이에 10나노급 1c(6세대) D램을 선제 적용하는 등 차별화 전략을 취하고 있다.
업계에 따르면 삼성전자도 HBM4 12단 제품 개발을 완료했다. 삼성전자의 HBM4는 1c 나노 미세 공정과 파운드리 4나노 공정을 업계 최초로 적용해 셀 집적도를 높였으며, 전작 대비 성능과 전력효율도 크게 향상된 것으로 알려졌다.
업계에서는 결국 엔비디아를 위시한 고객사들의 퀄테스트(품질 검증) 통과 및 본격 납품을 어느 업체가 먼저 하느냐가 승부를 가를 것으로 보고 있다.
현재 엔비디아는 SK하이닉스, 삼성전자와 마이크론 등이 제출한 HBM4 샘플의 퀄테스트(품질 검증)를 진행 중이며 아직 결과는 나오지 않았다.
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