'韓 엔지니어상' SK하닉 손윤익 "AI 메모리, 주변회로 성능이 핵심"

[서울=뉴시스]이지용 기자 = 최근 '2025년 상반기 대한민국 엔지니어상'을 수상한 손윤익 SK하이닉스 팀장은 칩의 병목 현상을 해소하는 '주변회로(Peri)'의 성능에 따라 AI 메모리 기술력도 영향을 받을 것이라고 밝혔다.

손 팀장은 18일 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 "최근 AI에 사용되는 고성능 D램은 초고속·초저전력 특성이 필수"라며 "이를 위해서는 주변회로 영역의 성능이 중요한 역할을 한다"고 강조했다.

그러면서 "주변회로 영역의 성능이 뒷받침되지 않는다면, 결국 병목현상이 발생할 수밖에 없고 제품 자체의 성능 향상도 기대할 수 없다"고 설명했다.

주변회로는 D램에서 데이터를 저장하는 셀 트랜지스터를 제어하고 동작시킨다. 데이터가 다니는 입구와 출구 역할을 하기 때문에 셀 못지 않는 핵심 영역이다.

D램의 또 다른 핵심 기술 '하이케이메탈게이트(HKMG)'와 관련해서는 "D램에 HKMG를 도입한다는 것은 단순한 기술 확장이 아닌 패러다임 전환이었다"고 밝혔다.

손 팀장은 "셀 트랜지스터에 미치는 영향을 최소화하면서도 HKMG의 단점인 GIDL과 신뢰성 문제를 극복해야 했다"고 전했다. HKMG는 공정 미세화로 인해 발생하는 누설전류를 막는 차세대 공정이다. GIDL은 게이트 전압으로 전류가 흐르는 현상을 말한다.

그는 "우리는 지금 AI 시대로 전환하는 중대한 시점에 있다"며 "구성원 개개인의 열정과 집중력, 협업이 가장 큰 경쟁력"이라고 강조했다.

손 팀장은 전날 과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 대한민국 엔지니어상을 수상했다.

그는 고대역폭메모리(HBM)과 모바일용 저전력 D램인 LPDDR 등의 개발을 주도한 공로를 인정 받았다. 또 D램의 주변회로 트랜지스터 개발과 D램의 HKMG 공정 적용 등에도 힘썼다.


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