곽노정 "HBM3E 16단 시장 본격 열릴 것"
SK하닉, 내년 고객에 16단 샘플 제공 예정
"커스텀 HBM, AI 메모리 새로운 패러다임"
[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스가 5세대 고대역폭메모리인 'HBM3E'의 16단 제품 출시를 세계 최초로 공식화했다. 지난달 HBM3E 12단의 양산을 시작한데 이어 곧 16단 제품까지 내놓으면서 HBM3E 시장에서의 주도권을 공고히 하겠다는 전략이다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "당사는 현재 세계 최초로 개발, 양산하고 있는 월드 퍼스트 제품을 다양하게 준비 중"이라며 HBM3E 16단 제품을 소개했다.
HBM3E 16단 제품은 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품이다. 같은 세대의 제품이어도 단수가 높아질수록 제품의 성능은 높아진다.
곽 사장은 "HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보이며, 이에 대비해 당사는 기술 안정성을 확보하고자 48기가바이트(GB) 16단 HBM3E를 개발 중"이라며 "이를 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정이다"고 밝혔다.
그는 "HBM3E 16단 제품을 생산하기 위해 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획"이라며 "백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다"고 강조했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위한 공정으로 HBM 양산성 확보에 핵심이 되고 있다.
곽 사장은 이와 함께 "고객과 파트너, 이해관계자들과 긴밀히 협력해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더 성장하겠다"고 미래 비전을 제시했다. 풀스택 AI 메모리 프로바이더는 D램과 낸드 전 영역에 AI 메모리 제품 라인업을 갖추었다는 의미다.
HBM3E 16단 제품은 SK하이닉스 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다.
SK하이닉스는 향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 확대되는 가운데 HBM3E 16단 제품이 SK하이닉스의 AI 메모리 중 핵심 제품이 될 것으로 내다보고 있다.
곽 사장은 또 커스텀(맞춤형) HBM에 대해 "용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화한 제품으로, 향후 AI 메모리의 새로운 패러다임이 될 것"이라고 전망했다.
곽 사장은 시간의 흐름에 따른 메모리의 개념 변화를 통해 SK하이닉스의 기술력과 제품을 소개했다.
그는 "저전력 고성능을 강점으로, 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1c나노 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 개발 중"이라며 "낸드에서는 PCIe 6세대 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 고용량 QLC 기반 기업용 SSD, 그리고 UFS 5.0을 준비 중"이라고 말했다.
LPCAMM2는 공간 절약뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현한 모듈 솔루션 제품이다. PCIe는 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스다.
이 밖에도 "메모리 병목 현상을 극복하기 위해 메모리에 연산 기능을 더하는 기술을 개발하고 있다"며 " 프로세싱인메모리(PIM)와 컴퓨테이셔널 스토리지 같은 기술은 초거대 데이터를 다루게 될 미래의 필수 기술로 차세대 AI 시스템의 구조를 바꾸는 큰 도전이자 AI 업계의 미래가 될 것"이라고 강조했다.
곽노정 SK하이닉스 사장은 4일 서울 강남구 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋' 기조연설에서 "당사는 현재 세계 최초로 개발, 양산하고 있는 월드 퍼스트 제품을 다양하게 준비 중"이라며 HBM3E 16단 제품을 소개했다.
HBM3E 16단 제품은 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품이다. 같은 세대의 제품이어도 단수가 높아질수록 제품의 성능은 높아진다.
곽 사장은 "HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보이며, 이에 대비해 당사는 기술 안정성을 확보하고자 48기가바이트(GB) 16단 HBM3E를 개발 중"이라며 "이를 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정이다"고 밝혔다.
그는 "HBM3E 16단 제품을 생산하기 위해 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획"이라며 "백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다"고 강조했다.
MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위한 공정으로 HBM 양산성 확보에 핵심이 되고 있다.
곽 사장은 이와 함께 "고객과 파트너, 이해관계자들과 긴밀히 협력해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더 성장하겠다"고 미래 비전을 제시했다. 풀스택 AI 메모리 프로바이더는 D램과 낸드 전 영역에 AI 메모리 제품 라인업을 갖추었다는 의미다.
HBM3E 16단 제품은 SK하이닉스 내부 분석 결과 12단 제품 대비 학습 분야에서 18%, 추론 분야에서는 32% 성능이 향상됐다.
SK하이닉스는 향후 추론을 위한 AI 가속기 시장이 확대되는 가운데 HBM3E 16단 제품이 SK하이닉스의 AI 메모리 중 핵심 제품이 될 것으로 내다보고 있다.
곽 사장은 또 커스텀(맞춤형) HBM에 대해 "용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화한 제품으로, 향후 AI 메모리의 새로운 패러다임이 될 것"이라고 전망했다.
곽 사장은 시간의 흐름에 따른 메모리의 개념 변화를 통해 SK하이닉스의 기술력과 제품을 소개했다.
그는 "저전력 고성능을 강점으로, 향후 PC와 데이터센터에 활용될 것으로 전망되는 LPCAMM2 모듈을 개발하고 있으며 1c나노 기반 LPDDR5와 LPDDR6를 개발 중"이라며 "낸드에서는 PCIe 6세대 솔리드스테이트드라이브(SSD)와 고용량 QLC 기반 기업용 SSD, 그리고 UFS 5.0을 준비 중"이라고 말했다.
LPCAMM2는 공간 절약뿐만 아니라 저전력과 고성능 특성을 구현한 모듈 솔루션 제품이다. PCIe는 디지털 기기의 메인보드에서 사용하는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스다.
이 밖에도 "메모리 병목 현상을 극복하기 위해 메모리에 연산 기능을 더하는 기술을 개발하고 있다"며 " 프로세싱인메모리(PIM)와 컴퓨테이셔널 스토리지 같은 기술은 초거대 데이터를 다루게 될 미래의 필수 기술로 차세대 AI 시스템의 구조를 바꾸는 큰 도전이자 AI 업계의 미래가 될 것"이라고 강조했다.