[서울=뉴시스] 김경택 기자 = RF(고주파) 질화갈륨(GaN) 반도체·방산 전문기업 웨이비스는 인도 방산 기업과 206만 달러(29억원) 규모의 RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기(HPA) 공급 계약을 체결했다고 13일 밝혔다.

회사 측에 따르면 이번 계약은 국경지대에 설치되는 전자전(Electronic Warfare) 장비에 적용되는 안티드론(Anti-Drone) 시스템에 웨이비스의 RF GaN 반도체 기반의 고출력증폭기(HPA)가 탑재되는 프로젝트다. 특히 이번 양산 물량 수주는 지난 7월 체결한 개발 프로젝트가 성공적으로 완료된 데 따른 후속 성과로, 웨이비스의 기술력과 신뢰성을 입증한 사례다.

안티드론은 세계적으로 국경분쟁이 심화되며 현대전에서 핵심 방어 기술로 자리잡고 있다. 드론은 정찰·공격 등 다양한 형태로 전장에 투입되며, 저비용·고효율 특성으로 비대칭 전력의 대표적 수단으로 부상했다. 이에 따라 드론 위협을 무력화하는 안티드론 솔루션은 각국 군사 전략에서 필수 요소로 평가받고 있다.

특히 RF GaN 반도체 기반 고출력증폭기는 장거리·고정밀 대응을 가능하게 하는 핵심 부품으로, 기술 경쟁력이 시장 점유율을 좌우한다. 최근 첨단무기체계용 RF GaN 반도체 수급난이 심화되는 가운데 인도 정부의 방위산업 강화 정책과 구형 무기체계의 첨단화 수요 증대는 핵심 기술 확보 니즈를 더욱 높이고 있다고 회사 측은 전했다.

웨이비스 관계자는 "이번 수주는 단발성에 그치지 않고, 향후 추가 계약이 지속적으로 발생할 가능성이 높다"면서 "특히 인도 유수의 방산 기업으로부터 기술력을 인정받아 성사된 계약이라는 점에서 의미가 크며, 다음 단계에서는 더 큰 규모의 프로젝트가 예상돼 글로벌 방산 시장에서 웨이비스의 입지가 한층 강화될 것"이라고 말했다.


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