[서울=뉴시스]이인준 기자 = DB하이텍이 차세대 전력반도체 공정 개발을 마무리 짓고, 시험 생산에 본격적으로 들어간다.

DB하이텍은 최근 '650V 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터(E-Mode GaN HEMT)' 공정을 추가했다고 11일 밝혔다. 또 오는 10월 말 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 GaN 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼)를 제공할 예정이다.

전력반도체는 각종 전자기기에 들어오는 전력을 변환, 저장, 분배 및 제어하는 핵심부품이다. 국내 8인치 파운드리 전문기업 DB하이텍은 세계 최초로 0.18㎛(마이크로미터) BCDMOS(복합전압소자)를 개발하는 등 실리콘(Si) 기반 전력반도체 시장에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있다.

DB하이텍은 이어 GaN, SiC(실리콘카바이드) 등 소재를 활용한 고효율·초소형 차세대 전력반도체 사업도 확대하고 있다.

DB하이텍은 시장 초기 단계인 지난 2022년부터 이런 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해왔다.

특히 GaN 소재를 활용한 전력반도체는 기존 Si(실리콘) 기반의 반도체에 비해 고전압, 고주파, 고온에 강하며 전력 효율이 높아 신규 고성장 산업 분야에서 수요가 급증하는 추세다.

DB하이텍이 이번에 공정 개발에 성공한 650V E-Mode GaN HEMT는 그중에서도 고속 스위칭과 안정성이 특징이다. 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높을 전망이다.

회사 측은 "GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다"고 밝혔다.

시장조사기관인 욜디벨롭먼트에 따르면, GaN 시장은 2025년 5억3000만달러에서 2029년 20억1300만달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 전망이다.

DB하이텍은 이번 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 IC(집적회로) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후에는 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려하여 더 넓은 전압대까지 공정을 확장한다.

DB하이텍은 현재 SiC 전력반도체도 개발 중이다. 회사 측은 내주 15~18일 부산 벡스코에서 열리는 ICSCRM 2025(국제탄화규소학술대회)에 참가해 SiC를 포함한 GaN, BCDMOS 등 전력반도체 최신 기술 개발 현황을 선보이고, 고객 및 업계 관계자와 만날 예정이다.

DB하이텍은 현재 충북 음성에 있는 상우캠퍼스에 클린룸도 확장한다. 회사 측에 따르면 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만5000장가량 증설할 수 있는 규모다. GaN을 비롯해 BCDMOS, SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만4000장 대비 23% 증가한 19만장이 된다.


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