[서울=뉴시스]이지용 기자 = SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)를 내세워 역대급 실적을 이어가는 가운데, 고성능 D램 시장에서도 차세대 공정 기술을 앞세워 메모리 업계 최강자가 될 준비를 쌓아가고 있다는 평이다.

특히 SK하이닉스의 고성능 D램을 좌우할 차세대 기술은 바로 '10나노급 6세대 1c' 미세공정이다.

SK하이닉스는 이 공정을 통한 D램을 최근 업계 최초로 개발했다. 1c 공정은 고성능 데이터센터용 반도체를 만드는데 주로 쓰인다. 무엇보다 HBM에 못지 않은 '캐시카우'가 될 수 있다는 기대가 높다.

SK하이닉스는 올 연말까지 1c 공정 D램의 양산 준비에 나서고 내년부터는 본격 양산에 들어간다.

삼성전자도 연내 양산에 돌입할 것으로 보인다. 양사는 HBM 생산에도 1c 공정을 활용할 예정이어서 1c 공정은 고성능 메모리 시장의 주도권을 잡을 핵심 경쟁 분야다.

26일 업계에 따르면 SK하이닉스는 현재 10나노급 6세대 1c 공정을 적용한 '16Gb(기가비트) DDR5' 고성능 D램의 양산을 준비하고 있다. 내년부터 시장에 제품도 본격 공급할 계획이다.

1c 공정은 10나노대 초반의 극미세화된 D램 메모리 공정 기술을 말한다. D램에서 10나노급 공정은 가장 미세화된 기술로 평가되는 만큼 10나노급 중에서도 회로 선폭에 따라 '1x, 1y, 1z, 1a, 1b, 1c' 등 6개 세대로 나뉜다.

이 중 1c는 최신 기술로 선폭이 가장 미세해, 이전 세대 공정인 1b와 비교하면 반도체 동작 속도가 11% 더 빠르고, 전력 효율도 9% 이상 개선된다.

SK하이닉스는 지난 8월 1c 공정을 적용한 16Gb DDR5 D램을 최초 개발했다.

이후 제품 인증을 위한 샘플을 일부 공개했고, 성능과 원가 경쟁력을 갖춰 내년 DDR5의 수요 확대에 적극 대응한다는 전략이다. DDR5는 일반 D램보다 가격이 높은데 1c 공정을 적용하게 되면 수익성은 더 커질 수 있다.

SK하이닉스는 극자외선(EUV) 공정에 신소재를 개발해 적용하는 등 공정 효율을 극대화해 원가 절감도 끌어냈다. 1c 공정의 제품 수율(양품비율)도 이미 안정화한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스 관계자는 지난 24일 3분기 실적발표 콘퍼런스콜(전화회의)에서 "이미 양산 안정성과 높은 제품 특성을 입증한 (기존) 1b 공정의 플랫폼을 바탕으로 개발해 향후 양산 적용 과정에서 시행착오를 줄일 것"이라고 밝혔다.

삼성전자도 1c 공정에서 우위를 차지하기 위해 발빠르게 움직이고 있어 양사의 치열한 경쟁이 예상된다. 삼성전자는 1c 공정의 DDR5 D램의 초도 양산라인을 연말까지 구축하고, 양산을 본격화할 계획이다.

1c 공정은 D램 성능을 높일 핵심 기술인 데다 적용 범위도 넓어 내년 고성능 D램 시장의 우위를 차지하는 결정타가 될 조짐이다.

SK하이닉스는 DDR5뿐 아니라 HBM에도 1c 공정을 적극 활용할 예정이다. SK하이닉스는 2026년 양산 예정인 HBM 7세대 제품 'HBM4E'에도 1c 공정을 사용할 방침이다.

삼성전자는 이보다 한 세대 앞선 6세대 'HBM4'에 이 기술을 먼저 쓸 예정인데, HBM 시장으로까지 '1c 경쟁' 전선이 넓어지는 셈이다.

업계 관계자는 "1c 기술은 고성능 서버의 기준이 될 것"이라며 "향후 메모리 업계에서 활용 폭이 더 커질 전망이어서 수율 확보와 기술 안정을 누가 먼저 하느냐가 관건"이라고 전했다.



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