[서울=뉴시스]이다솜 기자 = 삼성전자가 최첨단 메모리 연구개발 조직을 신설하고 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 

28일 업계에 따르면 삼성전자는 지난 17일 미국 실리콘밸리에 위치한 반도체 미주총괄(DSA)에 'R&D-D램 Path Finding' 조직을 신설했다. 반도체연구소 산하 조직으로, 송재혁 삼성전자 DS 부문 최고기술책임자(CTO) 겸 반도체연구소장이 이끈다.

지난 17일(현지시간)에 열린 신규 조직 오픈식에는  AMAT, LAM리서치, KLA 등 반도체 설비사 주요 경영진과 미국 버클리 캘리포니아대(UC 버클리), 스탠포드 대학교교수 등 반도체 석학들이 참석한 것으로 알려졌다.

현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 그간 새로운 구조를 도입하고 물질을 개선하며 셀 크기를 줄여가는 방향으로 발전해왔으나, 공정 선폭이 작아지면서 셀 면적 축소도 한계에 직면했다.

이 때문에 현재는 셀을 수평으로 눕혀 위로 층층이 쌓아올리는 방식과 셀 구조를 2단으로 쌓는 버티컬 방식 등 다양한 방식으로 차세대 기술 선점 경쟁이 이어지고 있다.

삼성전자의 차세대 D램 연구개발 조직은 '3D D램'을 선제적으로 연구 개발할 예정이다.

삼성은 일본에서 열린 '2023년 VLSI 심포지엄'에서 3D D램의 연구성과가 담긴 논문을 발표한 바 있다. 이 논문에서 3D D램의 실제 반도체로 구현한 상세한 이미지를 제시하기도 하는 등 차세대 기술 개발 경쟁에서 앞서나가고 있다.

회사는 지난 2013년 세계 최초로 3차원 수직구조 낸드(3D V-NAND)플래시 메모리 상용화에 성공한 경험을 바탕으로, D램에서도 3차원 수직 구조 개발 선점을 목표로 하고 있다.

메모리 연구개발 조직을 중심으로 실리콘 밸리에서 우수 개발인력을 적극 영입하고, 다양한 반도체 생태계와 협력할 수 있을 것으로 기대된다.


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