[서울=뉴시스] 홍세희 기자 = 삼성전자가 고성능 컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 인프라 수요 증가에 대응하기 위한 차세대 메모리 기술 비전을 공개했다.

기존 고대역폭메모리(HBM) 대비 성능을 최대 8배 높인 'zHBM'을 비롯해 차세대 고성능 낸드인 'zNAND-O'와 10세대 'BV-낸드' 등을 공개하며 AI 반도체 리더십을 강화하겠다는 포부를 밝혔다.

삼성전자는 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 'FMS(Future of Memory and Storage) 2026'에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O의 실물모형(Mock-up·목업)을 업계 최초로 공개했다.

행사 첫 날인 4일 오전(현지시간)에는 이진엽 플래시 개발실 부사장과 김경륜 D램 개발실 상무가 기조연설을 진행했다.

두 연사는 기조연설에서 zHBM, zNAND-O 등 차세대 3D 메모리를 기반으로 HPC 및 AI 인프라 수요 증가에 대응하고, AI 시스템의 성능과 전력효율을 극대화하기 위한 기술 비전을 제시했다.

삼성전자는 FMS 2026에서 업계 최초로 차세대 3D 메모리 아키텍처인 zHBM과 zNAND-O 목업을 공개하고, 미래 AI 시스템을 위한 새로운 메모리 기술 방향을 제시했다.

zHBM은 기존에 AI 가속기(xPU) 옆에 HBM을 배치하는 방식에서 한 단계 더 나아가 AI 가속기 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 차세대 아키텍처다.

AI 가속기와 메모리 간 데이터 이동 거리를 최소화함으로써 대역폭과 전력효율을 높이고, 대규모 AI 모델의 학습과 추론에 필요한 초고속 데이터 처리를 지원한다.

zHBM이 적용된 차세대 인터페이스 시스템은 8세대 고대역폭메모리 'HBM5' 대비 최대 8배 높은 성능을 제공한다. 

또 짧아진 데이터 간 이동거리로 인하여 HBM5 대비 전성비를 최대 3배 향상시키고, 열 저항을 절반 이상 낮춤으로써 고용량·고대역폭 시스템의 안정성과 전력효율을 극대화한다.

zNAND-O는 삼성전자가 개발 중인 차세대 고성능 낸드 플래시 솔루션으로, 기존 V-낸드의 수직 적층 기술을 활용하고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 결합해 4단 또는 8단 반도체 칩을 3D 패키징한 제품이다.

삼성전자는 아울러 FMS 2026에서 업계 최초로 수직 적층 400단 이상의 10세대 V-낸드 'V10 BV-낸드'를 공개했다.

10세대 BV-낸드는 400단 이상의 초고적층 구조를 기반으로 성능과 전력효율을 높인 차세대 낸드 제품이다.

삼성전자는 전작인 286단 9세대 낸드 다음 제품으로 300단대를 건너뛰고, 400단대 제품을 선보였다.

10세대 BV-낸드는 단순히 적층 수를 늘리는 데 그치지 않고 데이터 읽기·쓰기 성능과 입출력(I/O) 속도도 전 세대 대비 향상시켜, 고성능·고용량 낸드 시장에 최적화된 경쟁력을 확보했다.

삼성전자는 이번 전시에서 ▲HBM4E ▲HBM5 ▲LPDDR5X-PIM ▲PM1763 등 고성능 컴퓨팅과 AI 데이터센터에 최적화된 차세대 메모리·스토리지 솔루션도 선보였다.

한편, 삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲메모리 ▲로직 ▲파운드리 ▲패키징까지 아우르는 '원스톱 솔루션'을 제공할 수 있는 종합반도체(IDM) 기업이다.

삼성전자는 앞으로도 차세대 메모리 기술 혁신과 메모리, 파운드리, 첨단 패키징을 아우르는 차별화된 솔루션을 통해 AI시대의 반도체 기술 리더십을 지속 강화해 나간다는 계획이다.


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