[서울=뉴시스]박시은 인턴 기자 = 숭실대학교는 신소재공학과 이웅규 교수 연구팀이 차세대 디램(DRAM) 메모리 소자의 성능을 혁신적으로 높일 수 있는 신규 박막 공정 기술을 개발했다고 17일 밝혔다.

연구진은 컴퓨터 성능을 좌우하는 DRAM 메모리의 핵심 부품인 전기 저장소 '커패시터'의 성능을 향상하고자, 원자 단위로 얇은 막을 입히는 '원자층증착(ALD·Atomic Layer Deposition) 기반 박막 공정' 기술을 제시했다.

특히 공정 초기 단계의 화학 반응을 정밀하게 제어해, 그동안 성능 저하의 주범이었던 불필요한 산화층이 생기는 현상을 효과적으로 차단했다.

그 결과 전류가 새는 현상을 줄이고, 소자의 안정성을 확보하는 데 성공했다. 이는 반도체가 작아질수록 어려워지는 공정 한계를 극복할 핵심 기술을 제시한 성과로 평가받는다.

이 교수는 "이번 연구는 ALD 공정에서 박막이 성장하는 초기 단계의 계면 반응을 정밀하게 제어함으로써 DRAM 커패시터의 동작 성능 저하 문제를 근본적으로 개선할 수 있음을 보여준 연구"라며 "차세대 메모리 소자에서 중요한 증착 공정 기반 계면 제어 기술로 활용될 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

이어 "증착 공정 조건과 소재 특성의 상호작용을 체계적으로 이해하고 제어할 수 있다는 점에서 향후 다양한 반도체 박막 공정 연구에도 활용될 수 있을 것"이라고 덧붙였다.
한편 이번 연구 결과는 영국 왕립화학회가 발간하는 재료과학 분야의 국제 학술지 '머티리얼즈 호라이즌스(Materials Horizons)'에 내부 표지 논문으로 게재됐다.


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