[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)에 투자를 집중하는 가운데 연말에는 범용 D램 공급 부족이 심화될 수 있다는 전망이 나온다.

19일 업계에 따르면 D램 업체들이 D램 생산능력을 HBM에 우선 할당하며, 올해 연말께 D램 선단공정용 웨이퍼 투입량의 35%는 HBM이 차지할 것으로 예상된다.

지난해 기준 HBM이 전체 D램 출하량에서 차지하는 비중은 한 자릿수였다. 하지만 HBM은 웨이퍼 다이 사이즈가 동일 용량의 D램보다 크기 때문에 일반 D램보다 생산능력이 2.5~3배 더 필요하다.

최근 HBM이 8단에서 12단으로 높아지면서 제조 난도가 더 까다로워지고 있다. 업계에서는 현재 D램 수율이 50~70% 수준인 점을 고려하면, DDR5 환산 기준 최대 3.5배 더 많은 웨이퍼가 필요할 것으로 예상된다.

이런 상황에서 현재 D램 공급업체들의 재고 수준은 10주 정도로 정상 범위다. 지난해 같은 기간(12~16주) 대비 큰 폭 재고가 줄었다. 이어 차세대 HBM3E 물량이 하반기부터 본격화되면 D램 공급은 더 부족해질 수 있다.

사실상 메모리 시장 전망은 올해도 공급자 주도의 시장이 될 것으로 예측된다. 이처럼 지속적인 D램 공급 부족으로 올 하반기에도 제품 가격 상승세는 이어질 전망이다. 

업계 관계자는 "반도체 업체들마다 HBM에 집중하고 있어 D램 공급 여력이 충분하지 않은 게 중대 변수가 될 수 있다"고 밝혔다.



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