[서울=뉴시스]이지용 기자 = "고대역폭메모리(HBM)은 올해에 이어 내년까지 대부분 솔드아웃(완판) 됐습니다. 차세대 HBM인 HBM3E 12단 양산을 통해 시장 리더십 확고히 할 것입니다"

곽노정 SK하이닉스 사장은 2일 경기도 이천 본사에서 열린 'AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략'을 주제로 한 내·외신 기자간담회에서 자사의 HBM 현황 및 전략에 대해 이렇게 밝혔다.

SK하이닉스는 이날 AI 메모리 기술력 및 시장 현황, 청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 투자 계획을 일제히 발표했다.

곽 사장은 "SK하이닉스의 HBM은 생산 측면에서 올해 분은 이미 솔드아웃 상태이고, 내년 역시 거의 솔드아웃 됐다"며 "시장 리더십을 확고히 하기 위해 이달 세계 최고 성능 HBM3E 12단 제품 샘플을 제공하고, 3분기 양산하도록 준비 중"이라고 말했다.

그는 "질적 성장을 위해 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심의 판매를 늘려 '수익성'을 더 높일 것"이라며 "수요 환경에 대응하는 투자 방식으로 캐시(현금) 수준을 높여 재무 건전성도 높이겠다"고 전했다.

SK하이닉스는 전체 메모리 시장에서 AI 메모리가 차지하는 매출 비중은 지난해 약 5%에서 2028년 61%에 달할 것으로 전망했다.

김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당은 "AI 시대에 맞춰 6세대 제품인 HBM4를 비롯, HBM4E, LPDDR6, 300TB(테라바이트) 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 차세대 메모리를 준비하고 있다"고 밝혔다.

이와 함께 "고객사의 고용량 메모리 니즈에 맞춰 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 풀드 메모리와 프로세싱인메모리(PIM) 등 차세대 메모리 솔루션 기술도 준비 중"이라고 말했다. 이들 기술은 그래픽처리장치(GPU)와 메모리를 연결해 데이터 처리 속도, 용량 등을 높일 수 있다.

SK하이닉스는 이를 위해 시스템반도체, 파운드리 등 파트너사와 협업해 제품을 적시 개발·공급할 방침이다.

SK하이닉스는 또 HBM4 16단 제품 구현을 위해 HBM 핵심 기술인 'MR-MUF'를 적용하겠다는 전략을 내놨다. MR-MUF는 과거 공정 대비 반도체 칩의 적층 압력을 6% 수준까지 낮추고, 공정시간을 줄여 생산성을 4배로 높이는 패키징 기술이다. 또 하이브리드 본딩 기술도 선제적으로 검토해 차세대 HBM 생산에 나선다.

이 밖에 최근 부지를 선정한 미국 인디애나주 공장과 관련, 주변 대학 및 연구개발 센터들과 연구개발 협력을 통해 현지 반도체 인력 확보에도 집중할 방침이다.

곽 사장은 "AI 모델의 발전 속도가 빨라 초고속, 고용량 메모리의 수요는 폭발적으로 증가할 것"이라며 "HBM과 고성능 SSD 등 제품 라인을 구축한 만큼 과감한 R&D 투자로 업계 기술 리더십을 지키겠다"고 밝혔다.



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