윤석열 대통령 네덜란드 국빈 방문 동행 마치고 귀국
방문 성과 묻자 ASML과 공동연구시설이라고 밝혀
경계현 사장 "굉장한 우군 확보…기술 우선권 가질 것"
이 회장은 15일 오전 7시3분께 서울김포비즈니스항공센터(SGBAC)를 통해 경계현 삼성전자 DS부문장(사장) 등과 함께 귀국했다.
그는 이번 출장 성과를 묻는 질문에 "반도체가 거의 90%"라고 밝혔다. 삼성전자는 최근 윤석열 대통령의 네덜란드 국빈 방문을 계기로, 네덜란드의 세계적인 반도체 장비 기업 ASML과 공동으로 1조원을 투자해 차세대 극자외선(EUV) 노광장비 기술을 연구하는 시설을 한국에 건립하겠다고 발표했다.
이 회장과 동행한 경 사장은 ASML과 공동 연구를 진행하는 것에 대해 "EUV는 반도체 산업에서 가장 중요한 툴(장비) 중 하나"라며 " 전체적인 반도체의 공급망 입장에서 굉장히 튼튼한 우군을 확보했다"고 강조했다.
그는 특히 공동 연구시설 설립 목적에 대해 "경기도 동탄에 공동연구소를 짓고 하이 NA EUV(극자외선) 노광장비를 들여와 ASML 엔지니어와 삼성의 엔지니어가 함께 기술 개발을 할 것"이라며 "삼성전자가 하이 NA EUV에 대한 기술적 우선권을 갖게 될 것"이라고 말했다.
하이 NA EUV는 최신 노광장비인 EUV의 다음 버전으로, 현재 최첨단 공정인 3나노 이후 공정에 필요한 기술이다. ASML은 오는 2025년부터 장비 양산을 시작할 것으로 알려졌다.
경 사장은 "장기적으로 D램이나 로직 반도체(비메모리)에서 하이 NA EUV를 잘 쓸 수 있는 계기를 만들지 않았나 생각한다"고 말했다. 경쟁사보다 EUV를 빨리 들여올 수 있게 되느냐는 질문에는 경 사장은 "그런 관점보다는 공동 연구를 통해 하이 NA EUV를 더 잘 쓸 수 있는 협력관계를 맺는 게 중요하다"고 밝혔다.
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