[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 인공지능(AI) 반도체 개발에 필요한 고대역폭메모리(HBM)의 차세대 제품인 HBM4를 2025년 목표로 개발한다.

삼성전자는 또 HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키(설계 제조 일괄 도입·Turn Key) 패키징 서비스도 제공해, 최고의 AI 솔루션을 선보인다는 포부다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 D램 개발실장 부사장은 10일 삼성전자 뉴스룸 기고문을 통해 "AI 시대에 최고의 솔루션을 선보일 계획"이라며 "세상이 원하는 반도체를 만들기 위한 기술 혁신의 중심에는 언제나 삼성전자가 있을 것"이라고 밝혔다.

황 부사장은 "초거대 AI 시대에는 메모리 기술의 발전과 성능 향상이 중요하다"며 "삼성전자는 지난 40년간 업계를 선도하며 쌓아온 독보적인 기술 노하우를 바탕으로 AI 반도체 생태계를 확장할 다양한 메모리 제품을 준비해 왔다"고 강조했다.

특히 AI 반도체 시대의 총아 HBM과 관련, "삼성전자는 2016년 세계 최초로 AI 메모리 시장을 본격적으로 개척했다. 이후에도 HBM2 제품을 거쳐 HBM2E, HBM3를 양산하고 있으며, 9.8Gbps 속도의 HBM3E 제품을 개발하여 고객사에 샘플 공급을 시작할 예정"이라고 밝혔다.

이어 차세대 제품인 HBM4에 대해 "2025년을 목표로 개발 중"이며 "해당 제품에 적용하기 위해 고온 열 특성에 최적화된 기술도 준비 중"이라고 소개했다.

HBM은 처리 용량을 늘리기 위해 D램을 수직으로 쌓는 구조인데 물리적 한계로 누설 전류가 생기고, 이에 따른 칩의 변형과 발열의 문제가 잇따를 수 있다. 삼성전자는 이에 차세대 HBM에는 칩 사이에 발생하는 절연과 기계적 충격을 보호하는 NCF(비전도성접착필름·Non-conductive Film) 조립 기술과 구리(전도체)와 산화막(절연체)을 이용한 접합 방식인 HCB(하이브리드 본딩·Hybrid Copper Bonding) 기술로 이런 문제를 극복할 계획이다.

◆DDR5서도 업계 최선단…첨단 패키징 ‘시너지’도 강조
황 부사장은 앞으로 본격화될 차세대 D램 규격 'DDR5' 시대에도 삼성전자는 경쟁력을 유지할 것이라고 강조했다.

그는 "업계 최선단 기술을 적용한 DDR5 규격의 12나노급 D램은 전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다"며 "D램 시장의 큰 변곡점이 될 10나노 이하 공정을 기반으로 AI 시대에 세상이 원하는 초고성능, 초고용량, 초저전력 메모리 제품을 제공할 계획"이라고 강조했다.

황 부사장은 첨단 패키지 기술 강화 및 사업부간 시너지를 극대화하기 위해 올해 초 출범한 AVP(Advanced Package) 사업팀에 대해서도 언급했다. 그는 "삼성전자는 HBM과 함께 2.5차원, 3차원 첨단 패키지 솔루션을 포함한 첨단 맞춤형 턴키 패키징 서비스도 제공하여 AI·HPC 시대에 최고의 솔루션을 선보일 것"이라고 밝혔다.

◆“세상에 없는 기술 혁신” 강조
이어 그는 "앞으로도 초격차 DNA를 바탕으로 기술적 한계를 극복해 세상에 없는 다양한 메모리 솔루션 제품을 개발해 나갈 것"이라고 강조했다.

삼성전자는 메모리 내에서 연산 작업을 처리해 성능을 최대 12배 높인 HBM-PIM(Processing-in-Memory)를 개발해 산업계와 학계에서 PIM 플랫폼의 표준화와 생태계 구축을 위한 발판을 마련했다.

또 최근에는 메모리 확장성이 높은 새로운 인터페이스 ‘CXL(Compute Express Link)’를 사용하는 CXL D램에서 PIM 아키텍처를 구성하는 연구도 함께 진행하고 있다.

이밖에 최근에는 업계 최초로 LPCAMM을 개발하여 LPDDR의 새로운 폼팩터 시장을 개척했다. 이 제품은 탑재 면적이 최대 60% 이상 줄어 PC, 노트북 등 모바일 장치에만 국한되지 않고 데이터센터 등 다양한 응용처에서 활용할 수 있다.


◎공감언론 뉴시스 ijoinon@newsis.com