계층형 메모리 기반 AI 인프라 전략 제시
375단 낸드·서버용 D램·eSSD 신제품 전시
[서울=뉴시스]박나리 기자 = SK하이닉스가 세계 최대 메모리·스토리지 행사인 'FMS 2026'에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯해 고대역폭플래시(HBF), 서버용 D램, 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD), 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 제품을 공개했다.
인공지능(AI)이 학습에서 추론과 에이전트로 확장되면서 하나의 메모리 제품이 아닌 전체 메모리 계층을 연결해 데이터 처리 효율을 높이는 전략을 제시했다.
SK하이닉스는 지난 4일부터 6일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 FMS 2026에 참가했다고 7일 밝혔다.
올해 행사에는 AI와 메모리·스토리지 분야 전문가 350여명이 참여했으며 사흘간 3500명 이상의 관람객이 전시장을 찾았다.
SK하이닉스는 행사 첫날 김천성 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당이 ‘AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안’을 주제로 공동 기조연설을 진행했다.
두 발표자는 AI 에이전트가 처리하는 데이터가 빠르게 증가하면서 단일 메모리 제품만으로 성능과 용량, 비용 효율을 동시에 충족하기 어려워졌다고 진단했다.
이에 HBM과 D램, 낸드 기반 HBF, SSD 등을 유기적으로 연결하는 계층형 메모리 아키텍처를 해법으로 제시했다.
김 부문장은 "AI가 학습 중심에서 대규모 추론, 나아가 에이전틱 AI로 확장되면서 인프라 경쟁력은 개별 메모리 제품의 성능만으로 결정되지 않는다"며 "각 메모리 계층을 어떤 위치에 배치하고 연결해 데이터 이동을 최소화하느냐가 전체 효율을 좌우하게 될 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 FMS 2026이 진행된 3일 간 공동 발표 2건을 포함해 총 12개의 세션 발표를 진행했다.
행사 마지막 날에는 임의철 솔루션AT 담당이 구글, 샌디스크 관계자들과 HBF의 개발 방향과 기술적 가능성을 논의했다.
HBF는 낸드플래시를 수직으로 쌓고 칩 사이를 수직관통전극(TSV)으로 연결해 데이터 처리 속도를 높이는 차세대 메모리다.
HBM의 높은 처리 속도와 SSD의 대용량을 결합해 두 제품 사이의 새로운 메모리 계층으로 개발되고 있다.
HBM4E와 HBM3E, 서버용 저전력 메모리 모듈 SOCAMM2, 서버용 D램과 eSSD 등도 공개했다.
차세대 제품인 375단 4D 낸드 웨이퍼와 이를 적용한 1테라비트(Tb) TLC 제품도 선보였다.
375단 4D 낸드는 SK하이닉스 낸드 제품 가운데 처음으로 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 이전 세대보다 전력 대비 성능을 2.5배 높였다. 이를 적용한 고성능 eSSD는 내년 상반기 양산할 예정이다.
CXL 기반 차세대 메모리 기술도 시연했다. 여러 서버와 그래픽처리장치(GPU)가 메모리를 공유하면서 AI 에이전트가 사용하는 키·밸류(KV) 캐시를 빠르게 전달하고 재사용하는 기술이다.
D램과 SSD를 결합한 'CMM-하이브리드'를 활용해 전체 KV 캐시는 SSD에 저장하고, 필요한 데이터만 미리 D램으로 옮겨 처리하는 기술도 선보였다.
SK하이닉스 측은 "FMS 2026에서 HBM부터 서버 D램, 낸드, CXL까지 AI 인프라 전 계층을 아우르는 기술 역량을 공개했다"며 "고객과 파트너에게 필요한 AI 메모리 설루션을 선제적으로 개발하겠다"고 말했다.
◎공감언론 뉴시스 parknr@newsis.com