[서울=뉴시스]박나리 기자 = 중국이 메모리 반도체 기업의 기업공개(IPO)와 핵심 장비 국산화를 동시에 추진하며 '반도체 굴기 2막'에 나섰다.

D램과 낸드 업체가 증시에서 대규모 투자금을 확보하는 가운데 중국산 침지형 심자외선(DUV) 노광장비 생산에 들어가면서 자금 조달부터 생산·장비까지 아우르는 독자 생태계를 구체화하고 있다.

29일 업계에 따르면 중국 최대 D램 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)는 전날 상하이증권거래소 커촹반에 상장해 579억2000만위안(약 12조5600억원)을 조달했다.

중국 반도체 기업의 IPO 가운데 역대 최대 규모로, 초과배정 옵션이 모두 행사되면 조달액은 666억1000만위안까지 늘어날 수 있다.

CXMT는 확보한 자금을 범용 D램 생산능력 확대와 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 제품 개발에 투입할 계획이다.

올해 월 35만장 수준인 웨이퍼 생산능력을 2028년 50만장까지 늘리는 방안도 추진하고 있다.

중국 최대 낸드 업체 양쯔메모리테크놀로지(YMTC)도 상하이 증시 상장을 준비 중인 것으로 알려졌다.

YMTC는 올해 말 중국 우한의 제3공장 가동을 시작해 2027년까지 월 5만장의 생산능력을 확보할 계획이다.

제3공장에 들어가는 장비 가운데 절반 이상은 중국 업체 제품인 것으로 알려졌다.

메모리 기업이 IPO로 투자 자금을 확보하는 동시에 생산설비의 자국산 전환을 확대하는 구조다.

핵심 장비인 노광장비 국산화도 가시화하고 있다.

외신에 따르면 상하이에 본사를 둔 중국 국영기업이 자체 개발한 침지형 DUV 노광장비 생산을 시작했다고 알려졌다.

해당 기업은 반도체 장비 스타트업 위량성 등에서 연구개발 인력도 영입한 것으로 전해졌다.

올해 생산되는 장비 약 5대는 중국 최대 파운드리 업체 SMIC와 화훙반도체, CXMT 등에 공급될 예정이다.

내년에는 생산량을 약 20대로 늘릴 계획이다.

노광장비는 빛을 이용해 웨이퍼 위에 미세한 회로 패턴을 그리는 반도체 핵심 설비다.

침지형 DUV는 렌즈와 웨이퍼 사이에 물을 채워 해상도를 높인 장비로 범용부터 중고급 반도체 생산까지 폭넓게 활용된다.

중국은 미국 주도의 수출 통제로 첨단 극자외선(EUV) 노광장비를 확보하지 못하고 있으며 최상급 침지형 DUV 장비 수입도 제한받고 있다.

중국산 DUV가 생산라인에 투입되면 네덜란드 ASML 장비에 대한 의존도를 일부 낮출 수 있다.

다만 중국산 장비가 단기간에 ASML 제품을 대체하기는 어렵다는 평가도 나온다.

ASML은 지난해에만 침지형 DUV 장비 131대를 공급했지만 중국산 장비 생산 목표는 올해 5대, 내년 20대에 그쳐 아직 규모가 제한적이다.

첨단 메모리 분야에서도 삼성전자·SK하이닉스와 중국 업체 간 기술 격차는 여전히 크다.

업계에서는 CXMT의 HBM3 수율이 10~20% 수준에 그치는 것으로 추정한다.

중국 업체가 당장 국내 기업의 첨단제품 경쟁력을 위협하기는 어렵지만, 자금과 장비를 바탕으로 생산능력을 빠르게 늘리면 범용 D램과 낸드를 중심으로 공급 부담이 커질 수 있다.

업계 관계자는 "중국이 자금과 장비 생태계를 기반으로 HBM 추격 속도를 높일 가능성에 대비해야 한다"며 "삼성전자와 SK하이닉스는 HBM4E 등 차세대 제품 개발에 더욱 속도를 내고 빅테크와의 AI 협력 범위도 넓혀야 한다"고 말했다.


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