[서울=뉴시스]이인준 기자 = 미국 메모리 반도체 기업인 마이크론테크놀로지가 내년 고대역폭메모리(HBM) 공급 물량이 완판됐음을 밝혔다.

삼성전자, SK하이닉스에 이어 마이크론까지 D램 3사 모두가 주요 고객사들과 내년 HBM 공급 협의를 마무리함에 따라 내년 메모리 공급이 수요를 따라잡지 못하는 '슈퍼사이클' 기대감이 지속될 전망이다.

24일 업계에 따르면 마크 머피 마이크론 최고재무책임자(CFO)는 지난 주 RBC 캐피털 마켓 주최로 열린 투자자 대상 기술 설명회 행사에서 "2026년까지 HBM 공급 계약이 완료됐다"며 "이는 HBM3E(5세대)와 HBM4(6세대) 모두에 적용된다"고 알렸다.

마이크론은 HBM4를 내년 2분기 출하를 시작하며, 하반기 들어 본격화할 것으로 전망하고 있다. 일각에선 마이크론이 고객사가 원하는 성능에 맞추기 위해 제품을 재설계하고 있고, 이에 따라 내년 말로 출하 시점이 연기될 수 있다는 주장을 제기했으나 이런 논란을 일축한 것이다.

마이크론은 특히 HBM4가 출시와 동시에 구형 HBM 수요를 빠르게 대체할 것으로 예측했다.

마이크론은 HBM3E도 당분간 지속되겠지만, 대부분 수요가 HBM4로 진행될 것이라고 밝혔다. 그 이유는 "HBM4는 일반 제품과 달리 '롱테일 현상'이 발생하지 않는 제품"이기 때문이다.

'롱테일(Long tale)' 현상이란 시장 수요가 다수의 제품으로 분산되는 현상을 말하는데, 신형 D램 출시에도 최근 구형 D램 수요가 장기간 지속되는 것이 이에 해당한다.

하지만 HBM의 경우 인공지능(AI) 기술 발전 속도가 급속하게 전개되는 만큼, 신형 제품으로 교체가 급물살을 탈 것이란 기대다.

업계에선 그동안 HBM의 수요가 예상치를 하회할 경우 범용 D램 공급이 이어질 수 있다는 점을 내년 메모리 시장의 최대 변수로 지목해왔다.

하지만 마이크론의 이번 발표로 내년에도 HBM 공급 부족이 지속될 가능성이 커진다.

이미 SK하이닉스는 지난달 실적발표회에서 "주요 고객과 내년 HBM 공급 계획을 최종 확정했다"며 내년에도 솔드아웃(매진) 상태가 이어지고 있다는 입장을 밝혔다. 삼성전자 역시 다음날 "2026년 HBM 생산계획은 올해보다 확대 수립했지만, 계획분에 대한 고객 수요를 이미 확보했다"며 "추가 수요가 지속 접수돼 HBM 증산 가능성을 내부 검토 중"이라고 말했다.

업계에선 공급 부족으로 메모리 시장이 내년에도 공급자 우위 상황이 지속될 것으로 기대한다.

시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난달 D램 공급사 재고 평균은 2.7주로, 지난 9월 말 역대 최저 수준인 3.3주 대비 추가적인 감소세를 보이고 있다. 재고 확보에 내년 사업이 달린 만큼, 구매 업체들이 높은 가격 인상을 받아들일 수밖에 없는 시장 환경이다.

D램 업계는 차세대 공정 전환을 통해 생산 확대에 나서고 있다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 D램 공정인 '1c' 공정 전환을 서두르는 모습이다. 차세대 공정은 웨이퍼 1장당 30% 더 많은 생산이 가능하다.

마이크론도 1c(10나노 6세대) 공정에 해당하는 '감마(γ)' 노드가 성숙 수율에 도달해 일부 제품의 양상을 시작했다고 밝혔다. 이어 7, 8세대에 해당하는 '델타(δ)', '입실론(ε)'는 평면 구조로 개발될 것이라고 덧붙였다.


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