[서울=뉴시스]이지용 기자 = 삼성전자가 오는 12일 미국 실리콘밸리에서 '삼성 파운드리 포럼'을 개최하는 가운데, 1나노대 초미세 공정의 양산 시점을 얼마나 앞당길 지 주목된다. TSMC와 인텔 등 경쟁사들은 이미 초미세공정에 속도를 높이겠다고 밝힌 상태여서 삼성 측의 1.4나노 양산 시기도 더 빨라질 수밖에 없을 것이라는 관측이다.

10일 업계에 따르면 삼성전자는 미국 실리콘밸리 새너제이시(市)에서 오는 12일 '삼성 파운드리 포럼(SFF) 2024'를 개최한다.

삼성전자는 이 포럼에 '메모리-파운드리-첨단 패키징' 등 인공지능(AI) 반도체를 생산하기 위한 '턴키 전략'을 중점 소개한다. 메모리와 패키징 파운드리 이외 부서의 관계자들까지 총 출동하는 것인데 이들이 파운드리 포럼에서 발표하는 것은  처음이다.

삼성전자는 이번 포럼에서 올 연말 양산 예정인 2세대 3나노 공정을 비롯해 내년 2나노 공정 양산 일정도 발표할 전망이다.

특히 업계에서는 삼성전자가 '1나노대' 공정 양산 시점을 앞당기는 로드맵을 공개할 것이라고 본다. 당초 삼성전자는 오는 2027년에나 1.4나노 공정 양산에 나설 계획이었지만, 최근 경쟁사들이 1나노대 진입을 서두르자 기존 계획을 대폭 수정할 가능성이 있다.

나노는 10억분의 1m 단위로 반도체 칩 안의 회로 간격을 뜻한다. 1나노대 초미세공정으로 갈수록 칩 크기는 더 작아지고, 성능은 높아져 반도체 기업 수익성을 끌어올릴 수 있다. 최근 데이터센터 등 AI 기업들의 초미세공정 반도체 수요는 갈수록 커질 조짐이다.

앞서 TSMC는 지난 4월 열린 자사의 기술 심포지엄에서 2026년 하반기까지 1.6나노 공정 양산에 나서겠다는 로드맵을 발표했다. TSMC는 원래 내년에 2나노, 2027년 1.4나노를 계획했지만 이 사이에 1.6나노를 추가하며 1나노대 진입을 1년 앞당긴다는 입장이다.

TSMC는 1나노대 첨단 공정에 필수인 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 '하이 NA EUV' 도입 시점도 내년에서 올해 말로 옮겼다.

인텔도 올해 안에 18A(1.8나노) 공정 양산에 들어갈 예정이다. 또 2027년에는 14A(1.4나노) 공정 양산을 시작한다. 이렇게 되면 인텔이 1나노대 공정 양산에 가장 앞서는 것으로 삼성전자와 TSMC보다도 빠르다. 지난 2021년 파운드리 진출 선언 후 불과 3년 만에 1나노대에 진입하는 셈이다.

팻 겔싱어 인텔 최고경영자(CEO)는 지난 4일 대만의 '컴퓨텍스 2024'에서 "2030년까지 전체 파운드리 시장에서 2위를 할 것"이라며 삼성을 직접 겨냥하기도 했다.

경쟁사들의 압박이 거세지면서 삼성전자도 첨단 공정 양산에 속도를 낼 수 밖에 없는 상태다. 게다가 지난달 21일 DS부문장이 전영현 부회장으로 교체된 이후 처음으로 열린 파운드리 포럼인 만큼 공격적인 전략을 공개할 수 있다는 분석도 있다.

전 부회장은 앞선 취임사에서 "파운드리 사업은 선두와의 격차를 좁히지 못하고 있다"며 "상황을 더 냉철하게 분석해 어려움을 극복할 방안을 찾겠다"고 전했다.

업계 관계자는 "1나노는 파운드리의 최정점 기술이라는 상징성이 있어 삼성도 로드맵을 앞당길 여지가 크다"며 "최근 대만의 컴퓨텍스에서 TSMC에 집중된 고객사들 관심을 삼성이 미국 포럼에서 얼마나 되돌릴 수 있을지 주목된다"고 전했다.



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