[서울=뉴시스] 홍세희 기자 = SK하이닉스가 미국 인디애나주에 차세대 고대역폭메모리(HBM) 후공정 팹(공장) 조성에 본격 나서면서 향후 전공정 팹까지 추가 건설할 지 관심이다.

미국 정부는 한국 기업을 상대로 자국 내 반도체 생산기지 투자를 압박하고 있다.

최태원 SK그룹 회장도 미국 내 반도체 전공정 생산시설 건설 가능성을 열어둔 만큼 부지 후보지 검토도 속도를 낼 것으로 보인다.

28일 업계에 따르면 SK하이닉스는 전날(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트 라피엣에 위치한 퍼듀대학교에서 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산 기지 기공식을 개최했다.

SK하이닉스는 40억 달러(약 5조5000억원) 이상을 투입해 인디애나 팹을 조성한 뒤 2029년 하반기부터 차세대 HBM을 양산할 계획이다.

인디애나 팹은 SK하이닉스의 미국 내 첫 생산기지다.

SK하이닉스는 한국에서 생산한 최첨단 웨이퍼를 인디애나로 옮긴 뒤 이곳에서 어드밴스드 패키징과 테스트를 거쳐 '메이드 인 USA' HBM을 미국 고객사에 공급할 예정이다.

미국 정부는 SK하이닉스와 삼성전자는 물론 우리 정부를 상대로도 자국 내 반도체 생산가지 투자를 압박하고 있는 상황이다.
최태원 회장도 미국 내 메모리 반도체 전공정 생산시설 건설 가능성을 열어뒀다.

최 회장은 13일(현지시간) 미국 경제매체 CNBC가 공개한 인터뷰에서 미국 내 메모리 팹 건설 계획을 묻는 질문에 "기꺼이 할 의향은 있지만 아직 적합한 장소(Right Place)를 찾기가 어렵다"고 말했다.

이어 "대형 메모리 팹 뒤에는 소재와 화학제품, 서비스를 공급하는 600~700개 기업이 있다"며 "전력과 용수, 토지를 확보하고 관련 생태계까지 함께 옮길 수 있다면 미국을 포함해 세계 어느 곳에든 팹을 지을 수 있다"고 밝혔다.

SK하이닉스가 인디애나 후공정 팹에 이어 전공정 팹 건설을 공식화할 경우 미국 내 전후방 공정 밸류체인이 완성된다.

최 회장이 그간 "전기와 용수, 인재와 땅 등 조건을 갖춘곳이 있다면 어디든 짓겠다"고 언급해 온 만큼 기존 인프라를 활용할 수 있는 지역을 우선 검토할 것으로 보인다.

업계에서는 후공정 팹을 건설 중인 인디애나주와 애리조나주, 텍사스주, 뉴욕주 등이 후보지로 거론된다.

애리조나에는 TSMC의 첨단 파운드리 팹과 인텔의 대규모 생산 시설이 자리 잡고 있다.
삼성전자는 텍사스주 오스틴과 테일러를 미국 내 생산거점으로 운영하고 있고, 마이크론은 뉴욕주에 메가팹을 조성하고 있다.

일본도 SK하이닉스의 해외 생산기지 후보지로 거론된다.

최 회장은 지난 6월 니혼게이자이신문과의 인터뷰에서 신규 반도체 팹 건립 지역과 관련해 "일본은 훌륭한 후보지"라고 강조하며 일본이 반도체 제조 장비·재료, 전력 환경 등 반도체 제조 공정에 필요한 생태계를 모두 갖췄다고 평가한 바 있다.

최근에는 SK하이닉스가 일본 미야기현에 수십조원을 들여 메모리 공장을 짓는 방안을 추진 중이라는 언론 보도도 나왔다.

이에 대해 SK하이닉스 측은 "전혀 결정된 바 없는 내용"이라고 했고, 미야기현 측도 "파악하고 있는 내용이 없다"는 입장을 밝혔다.


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