[서울=뉴시스]이인준 기자 = 메모리 업계가 생산량 확대에 총력을 기울이고 있다.

삼성전자와 SK하이닉스 등 메모리 업체들은 최근 수요 증가에 대응하기 위해 대규모 신규 투자 계획을 발표했다. 하지만 이 계획은 실제 공장 가동까지는 앞으로 2년 이상 남아 있다.

이에 업체들은 차세대 공정 전환과 외부 협력 등을 통해 생산 증가에 적극 나서고 있다.

19일 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 D램 공정인 '1c' 공정 전환을 서두르는 모습이다.

D램 공정은 미세화 정도에 따라 공정을 구분하는데, 1c 공정은 10나노급 6세대(11나노급)를 뜻한다.

이 미세화가 높아질수록 웨이퍼 1장당 30% 더 많은 생산이 가능하다. 차세대 공정 전환 시 신규 클린룸이 없어도 생산량이 더 늘어나는 효과가 있다.

업계에 따르면 삼성전자는 내년 말까지 1c D램 생산능력을 현재 월 6만장에서 월 20만장 규모로 확대할 방침이다.

SK하이닉스도 내년 1c 공정 확대를 추진하고 있다.

SK하이닉스는 지난달 3분기 실적 발표 콘퍼런스콜에서 내년 신규 생산능력을 고대역폭메모리(HBM)에 집중하겠다고 밝힌 바 있다.

이 경우 일반 D램의 생산 능력은 차세대 공정 전환을 통해 확보해야 한다. 회사 관계자는 "일반 D램은 기존 생산능력의 선단 공정 전환으로 수요 증가에 대응할 방침"이라고 밝혔다.

양사의 이 같은 전략은 수율(결함 없는 합격품) 확보가 관건이다.

차세대 공정 전환은 생산 물량이 늘어나는 긍정적인 효과도 있지만, 구세대 제품의 생산 물량 감소로 이어질 수 있다. 이 때문에 생산 확대로 이어지려면 수율이 정상 궤도에 오르는 '램프 업' 기간을 얼마나 단축하느냐가 중요하다.

일부 업체는 외부 협력을 통해 생산 물량 확대를 노릴 것으로 전해졌다.

낸드 플래시 메모리 업체인 샌디스크는 제조 공간을 확보하기 위해 대만 PSMC와 생산 협의를 추진 중이다.

이 업체는 일본 낸드 업체인 키오시아와 생산 협력에 나서고 있는데, 공급 제약 문제가 해소되지 않자 다른 외부 파운드리(반도체 위탁생산) 업체에 외주를 주려고 한다.

대만 경제일보 등 외신에 따르면 샌디스크는 내년 상반기 대만에서 생산을 시작하는 것이 목표다. 하지만 메모리 공급 부족 현상이 뚜렷해지면서, 메모리 시장에서도 외부 위탁생산 가능성이 제기된다.


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