삼성 파운드리 '분기 최대' 수주 실적…"일감 쌓인다"

기사등록 2025/11/04 11:32:50 최종수정 2025/11/04 12:30:24

美스타트업 '아나플래시'와 28나노 공정 협력

테슬라·애플·IBM·암바렐라 일감 수주 잇달아

"4분기 가동률 개선과 효율화로 실적 개선 예상"

[서울=뉴시스]삼성전자가 미국 텍사스주 테일러시에 건설하고 있는 반도체 공장. (사진 = 삼성전자) 2025.02.19. photo@newsis.com *재판매 및 DB 금지
[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 글로벌 고객사로부터 파운드리(반도체 위탁생산) 일감 수주에서 성과를 올리고 있어, 시장 점유율 확대가 가능할 지 주목된다.

4일 업계에 따르면 AI(인공지능) 엣지 프로세서 스타트업 '아나플래시(ANAFLASH)는 삼성 파운드리와 함께 저전력 고효율 내장형 플래시 메모리를 개발했다고 발표했다.

이 업체는 미국 캘리포니아주 서니베일에 본사를 둔 한국계 스타트업으로, 독자적인 '로직 이플래시(Logic-EFLASH)' 기술을 적용한 회사의 AI(인공지능) 마이크로컨트롤러(MCU)를 삼성 파운드리의 28나노미터(㎚) 공정을 통해 생산하기로 했다.

이 반도체는 '온디바이스 AI'를 위한 통합 칩으로, 사전 훈련된 AI 모델을 활용해 외부로 데이터를 전송하지 않고도 단말기 자체적으로 효율적인 추론이 가능하다.

특히 이 메모리 기술은 데이터를 안정적으로 유지하는 데 소모되는 대기 전력이 필요 없어 한층 에너지 효율적이다. 양사 간 협력은 이달 열린 전기전자공학자협회(IEEE) 아시아 고체회로학회(ASSCC)에서 기술 시연이 예정돼 있다.

마거릿 한 삼성전자 미국 파운드리사업부 부사장 겸 미국 지역총괄은 "아나플래시 같은 스타트업 지원을 통해 첨단 실리콘 제조 생태계를 확대해 나가고 혁신 기술 상용화에 힘쓰고 있다"고 밝혔다.

삼성전자 파운드리사업부는 올해 상반기까지 분기마다 조 단위 적자를 기록하며, 한xp때 분사설이 제기되기도 했다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올해 2분기 7.3%로, 전 분기(7.7%) 대비 축소됐다. 같은 기간 대만 TSMC는 67.6%에서 70.2%로 2.6%포인트 점유율이 확대돼, 양사 격차는 59.9%p에서 62.9%로 확대됐다.

하지만 하반기 들어 적자 폭을 크게 줄인 데 이어 일감 수주 낭보가 잇달며 오랜 부진에서 벗어나는 모습이다.

IBM은 최근 출시한 차세대 서버용 중앙처리장치(CPU)인 '파워11(Power11)'에 삼성전자의 향상된 7나노 공정과 'I-큐브 SI 인터포저(iCube SI Interposer)' 첨단 패키징 기술을 활용했다.

수익성이 높은 선단 공정에서도 테슬라 차세대 AI칩 AI5, AI6 수주 성과를 올렸다.

삼성전자는 지난달 미국 암바렐라, 설계 자동화 기업 케이던스와 함께 차세대 엣지 AI 시스템온칩(SoC) N1-655를 개발하고, 5나노미터(나노미터·1㎚=10억분의 1m) 공정 기반 양산을 지원한다. 이와 함께 애플 이미지센서 양산 등도 추진 중이다.
 
삼성전자는 최근 열린 3분기 실적 설명회를 통해 지난 3분기 "선단 공정을 중심으로 최대 수주 실적을 달성했다"고 밝혔다.

삼성전자는 최근 실적 부진 이유로 "올해 상반기는 첨단 AI 칩에 대한 미중 제재 영향으로 인한 판매 불가 제품의 재고 충당 등 일회성 비용이 발생한 가운데 지난해 하반기 낮은 가동률 구간에서 생산된 고원가 제품의 판매와 올해 상반기 저조한 가동률의 영향을 받았다"고 설명했다.

다만 "올해 3분기에는 지난 분기 발생한 일회성 비용이 감소했고 선단 공정을 중심으로 가동률이 개선된 가운데 원가 절감 효과가 더해져 적자 폭이 대폭 축소됐다"고 설명했다.

이어 "4분기에는 2나노 1세대 공정을 적용한 신제품의 본격 양산과 함께 미국 및 중국 주요 거래선의 HPC(고성능컴퓨팅), 오토모티브 수요 강세 제품과 메모리 제품 확대 판매 등을 통해 매출이 증가할 것으로 예상한다"며 "지속적인 가동률 개선과 원가 효율화 활동을 통해 실적의 추가 개선을 예상하고 있다"고 덧붙였다.

삼성전자는 4분기 자체모바일 애플리케이션프로세서(AP) '엑시노스 2600'을 본격 양산한다.

또 내년엔 2세대 2나노 공정 양산을 준비하고 있다.

2세대 2나노는 1세대보다 성능이 최대 12% 향상되고, 소비 전력은 25% 감소, 면적은 8% 더 작아지는 것으로 알려졌다. 이와 함께 내년 본격 양산되는 HBM4(6세대 고대역폭메모리)에 4나노 공정을 적용해 성능과 전력 최적화에 기여할 계획이다.


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