"2나노 양산성 확보와 추가 기술로 경쟁력 확보"
"모바일뿐 아니라 HPC, AI, 차량용 등 응용 확대"
삼성전자는 31일 3분기(7~9월) 실적 발표 직후 가진 콘퍼런스콜(전화회의)을 통해 "내년 시장은 고객사의 재고 조정에 대한 우려가 남아 있으나 선단 노드를 중심으로 두 자릿수 성장이 전망된다"며 이같이 밝혔다.
다만 수요 개선세가 더딘 파운드리(반도체 위탁생산) 사업의 투자를 줄이는 등 투자 효율화를 추진한다. 삼성전자는 올해 전사적으로 56조7000억원을 투자해, 전년(53조1000억원) 대비 규모가 확대될 것으로 예상하며, "올해 파운드리 캐팩스(설비투자) 집행 규모는 감소할 것으로 전망된다"고 부연했다.
삼성전자는 "파운드리는 시황과 투자 효율성을 고려해 기존 라인 전환 활용에 우선순위를 두고 투자를 운영하고 있다"며 "모바일, HPC 고객 수요 중심으로 투자가 이뤄지는 중"이라고 설명했다.
내년에도 이미 보유한 생산 인프라 가동 극대화를 통해 선단, 레거시(구형) 노드의 고객 주문을 적기에 대응할 계획이며, 최첨단 R&D(연구개발) 준비의 신규 투자는 가동률 및 수익성 고려해 신중하고 효율적으로 추진한다.
최선단 공정인 2나노 GAA(게이트올어라운드) 공정에 대해서는 "2나노 GAA 공정은 모바일 및 HPC 응용에 최적화된 플랫폼 기술로 개발 중"이며 "공정 성숙도 개선 및 IP(설계자산) 포트폴리오 확대를 통해 내년 제품 양산을 목표로 개발하고 있다"고 밝혔다. GAA는 차세대 트랜지스터 구조로, 기존 공정 대비 전력 효율성과 성능이 개선되는 효과가 있다.
삼성전자는 "2나노 공정의 추가 경쟁력을 확보하기 위한 공정 및 설계 기술들을 개발하고 있다"며 "BSPDN(후면전력공급) 오토모티브 기술을 추가로 개발 중"이라고 말했다.
이어 "4분기 중 2나노 GAA 양산성 확보와 또한 추가적인 경쟁력 있는 공정 및 설계 인프라 개발을 통해 고객 확보에 더욱 주력하도록 하겠다"며 "4나노 공정에서는 모바일 및 HPC 수요 확대를 위한 공정과 설계 인프라를 개발 중"이라고 밝혔다.
또 "메모리사와 협력하여 선단 공정 및 어드밴스드 패키징 기술을 통합한 HBM 버퍼 다이 솔루션을 개발 중"이라며 "고객과의 전략적 파트너십 구축을 통해 모바일뿐만 아니라 HPC, AI, 오토모티브 등 다양한 응용처의 고객 확보를 추진하겠다"고 덧붙였다.
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