[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스는 19일 AI용 초고속 D램 HBM(고대역폭메모리)에 이어 10나노 6세대 기술 개발도 가장 먼저 이루면서 D램 1등 기술력을 인정받았다고 강조했다.

SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 오태경 부사장(1c Tech TF)은 최근 열린 사내 좌담회를 통해 "남은 기간 동안 부족한 부분을 보완해 안정적인 양산 수율과 원가 경쟁력을 지속 개선해 SK하이닉스의 1등 리더십을 사수하겠다"고 밝혔다.

회사 측에 따르면 지난달 SK하이닉스는 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하는 데 성공했다. 회사의 전 세대 제품 대비 2개월이나 개발 기간을 단축한 것이다.

D램은 데이터를 빠르게 처리하는데 특화된 메모리다.

그 중에서도 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술로, 이 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 8Gbps(초당 8기가비트)로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌다. 전력 효율은 9% 이상 개선됐다.

SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 성능 뿐 아니라 공정 효율 극대화와 원가 절감까지 이뤄냈다고 설명했다.

SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 생산할 계획이다.

조주환 부사장(DRAM 설계)은 "SK하이닉스는 이제 DDR5 개발에서 진정한 선두 주자로 자리매김했다"며 "1d 및 그 이후 세대에서도 혁신적인 제품을 선보일 수 있도록 지속적으로 경쟁력을 강화하겠다"고 강조했다.

김형수 부사장(DRAM AE)도 "SK하이닉스의 1c DDR5는 앞으로 고성능 서버 시스템의 기준이 될 것"이라고 밝혔다.


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