[서울=뉴시스]이인준 기자 = 미국 마이크론이 한국 업체들이 주도하는 메모리 반도체 시장에서 기술 경쟁력을 빠른 속도로 끌어올리고 있다.

마이크론은 삼성전자, SK하이닉스에 이어 업계 3위에 머물고 있지만, 차세대 제품 개발 면에서는 일부 앞섰다는 업계의 평가도 최근 들린다. 고성능·저전력 반도체 수요가 내년 이후 빠르게 늘어날 것으로 전망돼 메모리 업계의 경쟁이 한층 더 치열해질 전망이다.

19일 업계와 외신 등에 따르면 최근 마이크론은 오는 2025년부터 6세대(1감마) 10나노급 D램 반도체를 생산할 계획이라고 밝혔다. 마이크론은 일본 정부로부터 2000억엔(15억달러)의 보조금을 받고, 네덜란드 반도체 장비 기업 ASML의 EUV(극자외선) 노광장비 장비를 도입해 일본에서 차세대 반도체를 2025년부터 생산하게 된다.

이번 발표는 마이크론이 메모리 업계 세계 1위인 삼성전자의 5세대(1b) 10나노급 D램 반도체 양산 개시 발표 직후 나온 것이어서 눈길을 끈다. 마이크론이 삼성전자 등 한국 메모리 반도체 기업을 상대로 선전포고한 셈이다.

앞서 마이크론은 지난 2021년 4세대(1a) 10나노급 D램, 지난해 5세대(1b) 10나노급 모바일 D램 등을 세계 최초로 양산하면서 국내 반도체 업계를 긴장케 했다.

마이크론은 특히 초미세 공정 개발에 필요한 EUV 없이도 차세대 제품을 양산하는 데 성공해 주목받았다. 이에 한미 반도체 기업 간 기술 '초격차'가 흔들리고 있는 것이 아니냐는 우려가 나왔다.

마이크론은 이어 6세대 제품에는 EUV를 도입해 생산성을 끌어올린다고 밝혀, 본격적인 차세대 D램 경쟁의 신호탄을 쏘아 올렸다.

그동안 마이크론이 EUV 장비 대신 이용한 '멀티 패터닝' 기술은 반도체 회로를 여러 번 그리는 방식이어서 시간과 비용이 더 많이 들어간다는 단점이 있었다. 삼성전자, SK하이닉스가 제품 개발 속도는 마이크론에 뒤졌지만, 양산 능력에서는 앞서 있다는 평가를 받은 이유다. 마이크론도 이제 EUV를 도입해 양산에 나서는 만큼, 본격적인 경쟁이 시작되는 셈이다.

마이크론은 차세대 D램 기술로 여겨지는 3차원(3D) D램에서도 한국 업체들에 앞선 것으로 알려졌다. 현재 D램 기술은 미세 공정의 한계에 부닥쳐 메모리 반도체가 안정적으로 동작할 수 있도록 개발하는 데 어려움이 커졌다.

업계에서는 향후 몇 년 내 D램도 낸드플래시처럼 3차원 입체 구조로 전환해 한계 돌파를 모색할 수밖에 없는 상황에 직면할 것으로 본다.

마이크론은 한 대당 3000억원에 달하는 EUV 장비를 도입하기보다 3D D램 개발에 더 많은 투자를 해왔다. 이에 마이크론은 차세대 D램 시대를 앞둔 한국 메모리 업계의 큰 위협이 될 수 있다는 평가 나온다.

업계 관계자는 "마이크론은 비용 문제 등으로 EUV 사용에 회의를 가지고 있었기 때문에 3D D램 등 차세대 제품 개발에 사활을 걸어 왔다"면서 "삼성전자도 관련 기술 개발을 단축시키는 데 역량을 집중해 격차를 벌려야 한다"고 지적했다.


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