[서울=뉴시스]박나리 기자 = 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 반도체대전에서 차세대 인공지능(AI) 메모리 기술을 선보인다.

지난해 고대역폭메모리(HBM) 6세대 제품인 HBM4를 나란히 전시했던 양사는 올해 HBM4E와 3차원(3D) 메모리, 고대역폭플래시(HBF) 등으로 전시 범위를 넓힌다.

13일 업계에 따르면 한국반도체산업협회는 오는 14일부터 16일까지 서울 강남구 코엑스에서 '제28회 반도체대전(SEDEX 2026)'을 개최한다.

올해는 '실리콘 지능의 시대로'를 주제로 300개 기업이 888개 부스 규모로 참가한다.

◆삼성전자, HBM4 양산 넘어 3D 메모리로…연결 구조 확장

삼성전자는 올해 'AI 시스템 설계(Architecting AI Systems)'를 핵심 메시지로 HBM과 차세대 3D 메모리 기술을 소개한다.

메모리와 로직 반도체, 파운드리, 첨단 패키징을 연결한 통합 솔루션도 제시할 예정이다.

지난해에는 '일상을 움직이는 보이지 않는 힘'을 주제로 데이터센터·모바일·차량 등 활용처별 전시관을 구성해 HBM4와 HBM3E, CXL 메모리 모듈 'CMM-D', 서버용 SSD 'PM1763' 등을 선보였다.

이 가운데 HBM4는 올해 2월 양산 출하를 시작했고, 5월에는 후속 제품인 HBM4E 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다.

삼성전자는 지난 8월 미국 메모리·스토리지 행사 'FMS 2026'에서 차세대 3D 메모리인 'zHBM'과 'zNAND-O'의 모형도 공개했다.

zHBM은 AI 가속기 옆에 배치하던 HBM을 가속기 위에 수직으로 쌓아 데이터 이동 거리를 줄이는 기술이다.

zNAND-O는 낸드플래시를 3차원으로 쌓아 처리 속도를 높이는 기술로, 온디바이스 AI 환경을 겨냥한다.

올해 반도체대전에서는 개별 메모리 제품뿐 아니라 AI 시스템을 구성하는 반도체의 배치와 연결 방식까지 전시 범위를 넓힐 예정이다.

◆SK하이닉스, HBM4E로 속도 높이고 HBF로 용량 확대

SK하이닉스는 '멈추지 않고 나아가는 AI 여정(RUN)'을 주제로 HBM4E와 HBF 기술을 소개한다. 서버·PC·모바일용 D램과 낸드플래시, SSD 등도 전시할 예정이다.

지난해에는 전시관 중앙에 HBM4 제품과 모형을 선보이고, 주변에 연산 기능을 더한 메모리(PIM), 서버용 D램 모듈, 기업용 SSD 등을 배치했다.

올해 2분기부터 HBM4 양산 공급을 시작한 SK하이닉스는 이번 전시에서 후속 제품인 HBM4E와 새로운 저장장치 기술인 HBF를 앞세운다.

지난 6월 주요 고객사에 공급한 HBM4E 12단 샘플은 48기가바이트(GB) 용량에 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했다.

HBM4E가 데이터 처리 속도를 높이는 기술이라면 HBF는 AI 시스템의 데이터 저장 용량을 확대하기 위한 기술이다.

HBF는 D램 대신 낸드플래시를 여러 층으로 쌓아 HBM과 SSD 사이를 보완하는 기술로, AI 추론에 필요한 대량의 데이터를 효율적으로 공급하는 것을 목표로 한다.

SK하이닉스는 지난해 8월 샌디스크와 HBF 표준화 협력에 나선 뒤 올해 2월 컨소시엄을 출범했다. 이어 지난 8월 FMS에서 최대 512GB 용량을 지원하는 첫 표준 규격을 공개했다.

개막일인 14일에는 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장이 'AI 시대, 메모리 혁신의 방향을 묻다'를 주제로 기조강연에 나설 예정이다.


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