[서울=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자 반도체 리더들이 미국 전기전자공학회(IEEE)가 부여하는 최고 명예 등급인 'IEEE 펠로우(석학회원)'에 선정됐다.

22일 삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 송기봉 삼성전자 DS부문 DSRA(미주 반도체연구소) 시스템LSI 연구소장 부사장과 한진우 반도체연구소 D램 TD팀 상무가 2026년 펠로우로 이름을 올렸다.

펠로우 등급은 세계 최대 규모의 전기∙전자∙컴퓨터∙통신 분야 학회인 미국 IEEE의 전체 회원의 상위 0.1%만 오를 수 있는 권위 있는 자격이다. 전기·전자공학 전반에서 10년 이상 경험을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로, 매년 IEEE 이사회가 엄정한 기준에 따라 선정한다.

시스템LSI 미주 연구소를 총괄하는 송 부사장은 업계 최초 5G(5세대 통신) 모뎀 개발, 사막·바다·산악 지대와 같은 통신 음영지역이나 재해 상황에서도 인공위성을 기지국처럼 활용해 사각지대 없는 통신 환경을 제공하는 NTN(비지상 네트워크) 기술 상용화 등의 성과를 인정받았다.

그는 여러 글로벌 빅테크 기업들을 거쳐 삼성전자 미주 반도체연구소에 합류해, 삼성의 모뎀(Modem), 커넥티비티(Connectivity), 온디바이스 AI(On-device AI), 시스템온칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다.

송 부사장은 "삼성전자 DS부문 미주 반도체연구소를 비롯해 그동안 연구자이자 기술인으로서 개발해 온 기술과 제품이 사회에 기여했다는 점을 인정받게 돼 매우 영광"이며 "6G와 피지컬 AI 시대에 새로운 반도체 기술과 제품을 창출하고, 미래 혁신을 주도해 나갈 것"이라고 말했다.

이와 함께 한진우 상무는 반도체 미세화 한계 극복 공로로 펠로우 선정의 영예를 안았다.

한 상무는 미국 항공우주국을 거쳐 삼성전자에 합류했으며, DS부문 반도체연구소에서 차세대 D램 연구 조직을 담당하고 있다. 그는 현재 D램 셀을 평면이 아닌, 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 새로운 형태의 '차세대 3D(3차원) D램' 개발을 이끌고 있다.

한 상무는 "AI의 일상화로 데이터의 가치를 높이는 기술이 새로운 기회 요인"며 "글로벌 공급망 재편과 기술 패권 경쟁 등으로 반도체 생태계가 빠르게 변화하고 있어 위기와 기회가 공존하고 있다"고 강조했다.


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