[인천=뉴시스] 김동영 기자 = 인하대학교는 삼성전자 반도체연구소, 서울시립대와 공동으로 차세대 고개구수(High NA) 극자외선(EUV) 리소그래피 공정에 적용 가능한 신개념 포토레지스트 소재를 개발했다고 8일 밝혔다.

이번 연구는 인하대 김가영 박사과정생과 구예진 박사, 삼성전자 최진 마스터, 서울시립대 정병준 교수의 협업으로 진행됐다.

포토레지스트는 반도체 회로의 정밀도를 결정짓는 핵심 소재다.

연구팀은 주석산화물 나노소재 기반의 무기포토레지스트(MOR)를 개발해 10나노미터 수준의 양각 회로 패턴 구현에 성공했다. 기존 음각 방식과의 병용을 통해 공정 자유도와 정밀도를 동시에 향상시킬 수 있는 기술로 평가된다.

해당 성과는 국제 학술지 Advanced Functional Materials에 게재됐다. 제1저자인 김가영 학생은 삼성휴먼테크논문대상에서 은상을 수상했다.

이번 연구는 삼성전자 반도체연구소와 미래기술육성센터의 지원을 받아 이뤄졌다.


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