[서울=뉴시스]이인준 기자 = SK하이닉스가 네덜란드 장비 업체 ASML의 차세대 EUV(극자외선) 노광장비를 미세화 한계에 부딪힌 10나노 미만 D램 개발에 사용하겠다는 계획을 공개했다.

차선용 미래기술연구원 담당 부사장은 14일(현지시간) 네덜란드 벨드호번에서 열린 투자자 대상 기업설명회 '2024 인베스터 데이(Investor Day)'를 통해 "10나노 이하의 차세대 D램 테크 개발을 위해서 '하이(High) 뉴메리컬애퍼처(NA) EUV' 기술 도입을 검토 중"이라며 이 같은 입장을 밝혔다.

ASML의 EUV 장비는 반도체의 원재료인 웨이퍼(원판) 위에 미세한 회로를 그릴 수 있게 하는 장비로, 파운드리부터 메모리 D램까지 첨단 반도체 제도에 사용된다.

특히 메모리의 경우 지난 2021년 10나노급 4세대 공정(1a·13~14나노)부터 최근 개발이 끝난 6세대(1c·11~12나노)까지 생산 효율을 높이기 위해 EUV 장비가 필수적으로 사용되고 있다.

업계에선 다만 미세화 수준이 10나노 이하에 도달하면, 지금의 EUV 장비로도 한계에 부딪혀 차세대 장비 도입이 필요할 것으로 보고 있다.

ASML은 이에 올해부터 기존 장비보다 더 미세한 회로를 구현할 수 있는 차세대 '하이-NA EUV'의 생산과 납품에 들어갔다. ASML에 따르면 이 장비는 기존 장비 대비 제조비용을 20~35% 절감할 수 있게 한다.

차 부사장은 "메모리 반도체 패터닝 기술 한계가 심화되고 있는 상황에서 하이NA EUV는 정밀한 미세 회로를 구현하기 위해 매우 중요한 장비"라며 "올해부터 본격적으로 차세대 EUV 기술을 준비하고 있다"고 소개했다.

SK하이닉스는 특히 회사 구성원을 지난 6월 문을 연 아이멕(imec) ASML 하이 NA EUV 연구소에 참여 시켜 공정 기술 검증과 장비 안정화를 위한 다각적인 협업을 진행하고 있다. SK하이닉스는 오는 2026년께 하이 NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다.

차 부사장은 "SK하이닉스는 메모리 반도체 개발 과정에서 지속적으로 회로 패턴 미세화 한계에 도전하고 있다"며 "양사 간의 협력을 지금보다 강화해 안정적인 양산 환경이 구축되기를 기대하고 있다"고 말했다.

ASML의 차세대 EUV는 전 세계 반도체 기업들의 주목을 받고 있다.

현재 인텔이 해당 장비를 가장 먼저 확보해 가동에 들어갔다. 이 장비는 무게만 150t으로 에어버스 A320 여객기 2대와 맞먹으며, 설치에 수개월이 걸린다. 장비 한 대당 가격은 5000억원을 호가하는 것으로 알려졌다.

중국시보 등 대만언론에 따르면 TSMC도 배송을 받고 있는 것으로 전해졌다. 삼성전자 등도 이르면 내년 하이 NA EUV 설비를 도입할 것으로 알려졌다.


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