[서울=뉴시스]이현주 기자 = 올 들어 빠르게 성장 중인 고대역폭메모리(HBM) 수요를 기반으로 올해 메모리 시장이 안정적으로 늘어날 전망이다. 올해 연간 메모리 시장 규모는 과거 호황기에 버금가는 수준을 보일 수 있고, 이에 따라 SK하이닉스는 연초 예상 금액보다 투자를 더 늘릴 방침이다.

SK하이닉스는 25일 올해 1분기 실적 발표회에서 올해 연간 메모리 시장이 안정적인 성장세를 이어갈 것이라고 밝혔다.

수요 대응을 위한 적기 투자에도 적극 나선다.

SK하이닉스 관계자는 이날 1분기 실적발표회에서 "인공지능(AI)향 메모리 시장 위상을 지키고 D램 수요 증가에 선제적으로 대응하기 위해 신규 D램 생산 기지로 M15X 투자를 결정했다"고 밝혔다.

이 관계자는 "M15X는 청주의 기존 인프라를 그대로 활용할 수 있고 상대적으로 빠른 수정으로 클린룸을 확보할 수 있다"며 "M15X 공사를 시작하면 2025년 말에는 오픈이 가능하다"고 전했다.

또한 "M15X는 TSV(실리콘관통전극) 캐파(생산능력)를 확장 중인 M15과 인접해 HBM 생산을 최적화 할 수 있다"고 덧붙였다.

SK하이닉스는 중장기적으로 용인 반도체 클러스터, 미국 인디애나 어드밴스드 패키징 공장 등 미래 투자도 차질 없이 진행할 계획이다.

현재 용인은 부지 조성 작업이 한창이며, 2027년 가동을 목표로 차질 없이 공사가 진행 중이다.

인디애나 공장 조성에는 38억7000만 달러(약 5조2000억원)를 투자해 2028년부터 차세대 HBM 등 AI 메모리 제품을 양산할 계획이다.

SK하이닉스 관계자는 "인디애나 어드밴스드 패키징 시설은 AI 반도체 기술에 대한 리더십과 고객 협력 기반 강화를 위해 AI 분야 주요 고객들이 집중돼 있고, 첨단 후공정 분야 기술 연구도 활발히 진행되고 있다"며 "2028년 하반기 생산 가동이 목표"라고 말했다.

차세대 HBM 제품 개발과 첨단 패키징 기술 협력을 위해 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 1위 업체인 대만 TSMC와도 MOU를 체결했다.

2026년부터 양산 예정인 HBM4(6세대) 베이스 다이(HBM 가장 아랫부분) 제작을 위해 TSMC의 로직 선단 공정을 활용한다. 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객의 폭넓은 요구에 부합하는 경쟁력 있는 맞춤형 HBM을 공급할 계획이다.

한편 SK하이닉스는 올해 AI 메모리 수요가 지속적으로 늘어나고, 하반기부터는 일반 D램 수요도 회복할 것으로 예상했다.

공급사와 고객이 보유한 재고도 앞으로 빠르게 소진될 전망이다. HBM는 같은 용량의 DDR5를 만드는 것보다 2배 이상의 웨이퍼(원판)을 소모한다. HBM 같은 프리미엄 제품 위주로 생산이 늘어나면서 범용 D램 공급은 상대적으로 축소하게 된다.

SK하이닉스는 고객층 확대와 고용량 제품 출시를 통해 AI 메모리 시장을 주도한다는 계획이다.

SK하이닉스는 AI 메모리 수요 확대에 맞춰 지난 3월 세계 최초로 양산을 시작한 HBM3E(5세대) 공급을 늘리는 한편 고객층도 더 확대할 방침이다. 10나노 5세대(1b) 기반 32Gb DDR5 제품을 연내 출시해 회사가 강세를 이어온 고용량 서버 D램 시장 주도권도 강화한다.

낸드의 경우 실적 개선 추세를 지속하기 위해 제품 최적화를 추진한다.

고성능 16채널인 eSSD와 함께 자회사인 솔리다임의 QLC(쿼드러플레벨셀) 기반 고용량 eSSD 판매를 적극 늘린다. 또 AI향 PC에 들어가는 PCIe 5세대 소비자용 저장장치(cSSD)를 적기에 출시해 최적화된 제품 라인업으로 시장 수요에 대응한다.


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