[워싱턴·서울=뉴시스] 이윤희 특파원,  유세진 기자 = 미국 정부가 삼성전자의 미국 내 반도체 생산 시설 투자에 약 9조원에 육박하는 보조금을 지급할 예정이라고 15일(현지시각) 발표했다. 앞서 발표된 인텔, TSMC에 이어 세 번째로 큰 금액이다.

미 상무부는 이날 보도자료를 통해 삼성전자와 미국 반도체법에 따라 최대 64억달러의 직접 자금을 지원한다는 내용의 구속력 없는 예비거래각서(PMT)를 체결했다고 밝혔다.

미국 정부 보조금은 삼성전자가 미국 내 반도체 생산 시설 투자를 촉진하기 위함이다. 조 바이든 대통령은 미국의 첨단 반도체 생산 능력 확보를 위해 2022년 반도체법에 서명했다.

삼성전자에 대한 지원금 규모는 현재까지 미국 정부가 발표한 자금 가운데 인텔(85억달러)·TSMC(66억달러)에 이어 세번째다. 사업 투자금(450억 달러) 대비 비율은 TSMC나 인텔보다 높은 것으로 전해졌다.

미 상무부는 삼성전자를 "첨단 메모리와 첨단 로직 기술 모두를 선도하는 유일한 첨단반도체 기업"이라고 표현하며, 향후 400억달러 이상을 미국에 투자할 예정이라고 설명했다.

구체적으로 삼성전자는 텍사스주에 있는 기존 사업장을 미국 내 첨단반도체 개발 및 생산을 위한 종합적인 단지로 전환하겠다고 상무부에 제안했다고 한다.

테일러 지역에  4나노미터와 2나노미터 반도체 공장을 만들고, 연구개발(R&D)과 첨단 패키징 시설을 구축하며 오스틴 지역 기존 시설은 확장한다는 계획이다. 테일러의 첫 공장은 2026년 생산을 시작하고, 두 번째 공장은 2027년 생산을 시작할 예정이다.

지나 러몬도 상무장관은 "제안된 계획은 텍사스를 최첨단 반도체 생태계로 이끌 것이다. 미국은 이를 통해 10년 안에 세계 최첨단 칩의 20%를 생산한다는 목표를 달성할 것으로 전망된다"고 말했다.

아울러 삼성전자의 이번 투자로 1만7000개의 건설 일자리와 4500개 이상의 제조업 일자리가 만들어질 것으로 보고있다.

경계현 삼성전자 대표이사 사장(DS부문장)은 상무부를 통해 "단순히 생산시설을 확장하는 것이 아니라, 현지 반도체 생태계를 강화하고 미국을 글로벌 반도체 생산 거점으로 자리매김시키는 것"이라며 "AI 반도체와 같은 미래 제품에 대한 고객 수요 급증에 대응하기 위해 최첨단 공정 기술을 갖춘 공장을 갖추고 미국 반도체 공급망 안보 강화를 도울 것"이라고 전했다.

미국은 중국 등과 경쟁하는 상황에서 첨단기술에 대한 접근성이 국가안보에 직결된다고 보고있다.

AP통신에 따르면 레이얼 브레이너드 백악관 국가경제위원회(NEC) 위원장은 직접 관련 브리핑에 나서 "결과적으로 삼성전자가 오스틴에서 국방부를 위해 직접 반도체를 제조할 수 있게 될 것"이라고 말했다.

한편 TSMC의 경우 보조금에 더해 50억달러 규모의 대출지원을 받기로 했는데, 삼성전자는 별도의 저리 대출 없이 순수 보조금만 받을 예정이다.

다만 보조금과 별도로 미 재무부에 투자세액 공제를 신청할 예정이며, 투자액의 최대 25%에 대한 세금을 감면받을 수 있다고 상무부는 설명했다.

삼성전자는 이날 미 텍사스주 테일러에서 관련 투자 발표 행사를 열었고, 해당 행사는 경 사장과 러몬도 장관이 직접 참석했다.


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