[라스베이가스=뉴시스]이인준 기자 = 삼성전자가 11일(현지시간) HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 메모리 반도체에 대한 과감한 투자로 시장을 선도하겠다는 자신감을 드러냈다.

삼성전자는 세계 최대 IT·가전 전시회 'CES 2024'에서 인공지능(AI) 시대를 선도해 나갈 차세대 반도체 제품을 대거 선보였다.

삼성전자는 미국 라스베이거스 앙코르 호텔(Encore at Wynn Las Vegas) 내 전시공간에 가상 반도체 팹(Virtual FAB)을 설치하고, ▲서버 ▲PC/그래픽 ▲모바일 ▲오토모티브 ▲라이프스타일 등 5개 주요 응용처별 솔루션 공간을 밀도 있게 구성했다. 삼성전자가 국내외 미디어에 DS(디바이스솔루션) 부문 전시관을 공개하는 것은 이번이 처음이다.

생성형 AI(인공지능)의 등장으로 수요가 급증하고 있는 ▲12나노급 32기가비트(Gb) DDR5(Double Data Rate) D램 ▲ HBM3E D램 샤인볼트(Shinebolt) ▲ CXL 메모리 모듈 제품 'CMM-D' 등 차세대 제품을 전시했다.

또 삼성전자의 반도체의 경쟁력을 한 자리에서 체험할 수 있게 온디바이스 AI용 D램, 차세대 스토리지용 낸드플래시 솔루션, 2.5·3차원 패키지 등 차세대 기술 경쟁력을 강조했다.

이날 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 차세대 반도체에 대한 과감한 투자로 시장을 선도하겠다는 입장을 밝혔다.

한 부사장은 행사에서 기자들과 만나 "올해 HBM(고대역폭메모리)의 캐팩스(시설투자·CAPEX)를 2.5배 이상으로 늘렸는데, (메모리 업체들의 투자 여력이 좋지 않은 상황에도) 내년에도 그 정도 수준을 예상하고 있다"고 밝혔다.

그는 "경계현 대표이사 사장의 철학은 시장의 높고 낮음에 따라서 캐팩스를 변화하는 과거의 형태는 맞지 않다는 것이어서 작년 어려운 시황에도 캐팩스를 상당히 높게 유지했다"며 "선단 공정 전환 가속화를 통해 미국 서버 시장 점유율 50% 이상 하겠다는 내부적인 목표가 있다"고 밝혔다.

한 부사장은 "2~3년 뒤 삼성전자가 HPC(고성능 컴퓨팅), 생성형 AI 시대에 파운드리와 메모리의 융합을 통한 강자가 될 것이라 자신한다"고 강조했다.

그는 "AI 서버 고객들이 기존 메모리 설계와 파운드리 로직 공정을 적용하는 등 HBM의 커스터마이즈(맞춤형) 솔루션에 대한 언급을 시작했다"며 "삼성전자는 메모리, 파운드리를 동시에 갖고 있는 세계 유일의 반도체 회사로, 꿈에 그리던 시너지가 나올 것으로 기대한다"고 말했다.

한 부사장은 이어 "HBM 뿐 아니라 고객들과 LPDDR(저전력 D램), CXL(컴퓨트익스프레스링크) 등에 대한 초기 논의를 하고 있다"며 "여러 가지 형태의 아이디어들이 2~3년 내에는 가시화되고 본격적으로 개화될 것으로 보여 솔루션 적기 개발을 통해 패러다임 변화를 주도하겠다"고 강조했다.
    
미국 파운드리 제2공장인 '테일러 공장' 관련 "공사는 예정대로 잘 진행되고 있고, 양산 시점은 고객 니즈, 미국 정부와의 협상이 진행 중으로, 조만간 구체적인 일정을 말씀 드릴 수 있을 것"이라고 설명했다.



◎공감언론 뉴시스 ijoinon@newsis.com