[서울=뉴시스] 이인준 기자 = SK하이닉스가 현존 최고층 238단 낸드플래시 양산을 통해 4D 낸드의 차세대 표준 기술 개발에 박차를 가한다.

SK하이닉스는 뉴스룸을 통해 최근 열린 FMS 2022(Flash Memory Summit 2022) 참석해 차세대 기술인 '4D 2.0' 기술을 선보였다고 1일 밝혔다.

FMS(플래시 메모리 서밋)은 매년 미국 캘리포니아 주 산타클라라에서 열리는 낸드플래시 업계 세계 최대 규모 콘퍼런스다. 올해 행사 기조연설에서 SK하이닉스는 낸드 솔루션 자회사인 솔리다임(Solidigm)과 함께 공동 발표를 맡았다.

이 기술은 낸드 칩 사이즈를 줄이기 위해 구동회로(Peri.)를 셀 회로 하단에 넣는 것이 핵심이다. 칩의 구조 변경을 통해 동일 면적 대비 효율을 극대화 할 수 있다.

다만 그동안 셀을 쌓을수록 부피는 늘어나기 때문에 어느 시점에선 한계에 부딪힐 것이라는 평가가 지배적이었다. 하지만 SK하이닉스는 이 문제를 극복해 이번 최고층 낸드플래시 개발에 성공했다.

SK하이닉스에 따르면 4D 2.0 기술은 셀 집적도를 수평적으로 증가시키는 방식이다. 데이터를 미세 공정을 통해 2개의 작은 셀(Small Size Cell)로 나눠 저장하는, MSC(Multi Site Cell)를 적용했다. 이는 셀 한 개에 구현하기 어려운 용량을 확보할 수 있게 해준다. 이로써 셀 집적도를 높이면서, 적층수를 줄일 수 있다.

SK하이닉스 정우표 NAND설계 담당은 "차세대 표준으로 기대되는 기술"이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 현존 최고층 238단 낸드플래시 개발에 성공한 데 이어 앞으로 ICT 기술 발전을 이끌겠다는 포부다.

최정달 SK하이닉스 낸드개발담당 부사장은 "고용량·고성능을 구현하는 차세대 4D 낸드를 4D 2.0 기술로 정의해 기술 혁신의 방향성을 제시하고 낸드 분야를 새롭게 선도하겠다"며 "향후에도 4D 낸드 기술의 차세대 표준을 주도할 수 있도록 기술 혁신에 박차를 가할 것"이라고 밝혔다.


한편 SK하이닉스는 최근 238단 512Gb(기가비트) TLC(Triple Level Cell) 4D 낸드플래시 샘플을 고객에게 출시했다.

이 제품은 세계 최고층이면서 가장 작은 크기의 제품으로 구현됐다는데 의미를 갖는다.

이전 세대인 176단 대비 생산성이 34% 높아졌고, 데이터 전송 속도는 초당 2.4Gb로 이전 세대 대비 50% 빨라졌다.

칩이 데이터를 읽을 때 쓰는 에너지 사용량이 21% 줄어, 전력소모 절감을 통해 ESG 측면에서 성과도 가능하다. SK하이닉스는 "2020년 12월 176단 낸드를 개발한 지 1년 7개월 만에 차세대 기술개발에 성공했다"며 "내년 상반기 양산에 들어간다는 계획"이라고 밝혔다.


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