26일 SK하이닉스에 따르면 이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행중인 고성능·저전력·고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현, 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다.
이는 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며, 전력소비는 약 40% 가량 낮은 수치다. 향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.
SK하이닉스는 이 제품에 TSV기술을 활용, 20나노급 D램을 4단 적층했다. 그래픽 분야 선두 업체인 AMD와 공동개발한 이 제품은 내년 상반기 샘플 지급에 이어, SiP(System in Package) 형태로 공급할 예정이다.
SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무는 "TSV 기술을 활용한 HBM제품의 내년 상용화를 시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해 메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다"고 말했다.
◇JEDEC = 반도체 분야 표준화기구인 국제반도체표준협의기구로, 반도체기기의 규격을 규정한다.
◇TSV = 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩 간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로, 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.
◇SoC = 여러 가지 기능을 가진 시스템을 하나의 칩 속에 집적한 반도체다.
◇SiP = 한 패키지를 여러 개의 칩으로 구성해 완전한 시스템을 구현한 것이다.
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